由式(8-6)可见,霍尔元件灵敏度K是在单位磁感应强度和单位激励电流作用下,霍尔元件 输出的霍尔电压值,它不仅决定于载流体材料,而且取决于它的几何尺寸 (87) 由式(84)、(86还可以得到载流体的电阻率p与霍尔系数R和载流子迁移率μ之间的关系 (8-8) 通过以上分析,可以看出 1)霍尔电压U与材料的性质有关。根据式(8-8),材料的、μ大,R,就大。金属的μ虽然很 大,但p很小,故不宜做成元件。在半导体材料中,由于电子的迁移率比空穴的大,且 Hn>H,所以霍尔元件一般采用N型半导体材料 2)霍尔电压U与元件的尺寸有关。 根据式(8-),d愈小,K愈大,霍尔灵敏度愈高,所以霍尔元件的厚度都比较薄,但d太 小,会使元件的输入、输出电阻增加 从式(84)中可见,元件的长度比对U也有影响。前面的公式推导,都是以半导体内各 处载流子作平行直线运动为前提的。这种情况只有在/b很大时,即控制电极对霍尔电极无 影响时才成立,但实际上这是做不到的。由于控制电极对内部产生的霍尔电压有局部短路 作用在两控制电极的中间处测得的霍尔电压最大,离控制电极很近的地方,霍尔电压下降 到接近于零。为了减少短路影响/要大一些,一般/b=2。但如果/过大,反而使输入功 耗增加降低元件的输出 霍尔电压与控制电流及磁场强度有关。根据式正比于及。当控制电流恒定时愈大愈 大。当磁场改变方向时,也改变方向。同样,当霍尔灵敏度及磁感应强度恒定时,增加控 制电流,也可以提高霍尔电压的输出。由式(8-6)可见，霍尔元件灵敏度KH是在单位磁感应强度和单位激励电流作用下，霍尔元件 输出的霍尔电压值，它不仅决定于载流体材料，而且取决于它的几何尺寸 ( (8-7) 由式(8-4)、(8-6)还可以得到载流体的电阻率ρ与霍尔系数RH和载流子迁移率μ之间的关系: (8-8) 通过以上分析，可以看出: 1) 霍尔电压UH与材料的性质有关。根据式(8-8)，材料的ρ、μ大，RH就大。金属的μ虽然很 大，但ρ很小，故不宜做成元件。在半导体材料中，由于电子的迁移率比空穴的大，且 μn>μp，所以霍尔元件一般采用N型半导体材料。 2) 霍尔电压UH与元件的尺寸有关。 根据式(8-7)，d 愈小，KH 愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d太 小，会使元件的输入、输出电阻增加。 从式(8-4)中可见，元件的长度比l/b对UH也有影响。前面的公式推导，都是以半导体内各 处载流子作平行直线运动为前提的。这种情况只有在l/b很大时，即控制电极对霍尔电极无 影响时才成立，但实际上这是做不到的。由于控制电极对内部产生的霍尔电压有局部短路 作用在两控制电极的中间处测得的霍尔电压最大，离控制电极很近的地方，霍尔电压下降 到接近于零。为了减少短路影响l/b要大一些，一般l/b=2。但如果l/b过大，反而使输入功 耗增加降低元件的输出。 霍尔电压UH与控制电流及磁场强度有关。根据式正比于及。当控制电流恒定时愈大愈 大。当磁场改变方向时，也改变方向。同样，当霍尔灵敏度及磁感应强度恒定时，增加控 制电流，也可以提高霍尔电压的输出。 nqd K H 1 =   RH =