gEh gvB 霍尔电场的强度为E=vB (8-2) 在A与B两点间建立的电势差称为霍尔电压,用U表示 b U= Eb= vB H (8-3) 由式(8-3)可见,霍尔电压的大小决定于载流体中电子的运动速度,它随载流体材料的 不同而不同。材料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征,所谓载 流子迁移率,是指在单位电场强度作用下,载流子的平均速度值。载流子迁移率用符号μ 表示,=vE。其中E是C、D两端面之间的电场强度。它是由外加电压U产生的,即E=U 因此我们可以把电子运动速度表示为v以U∥。这时式(8-3)可改写为 (8-4) 6B 当材料中的电子浓度为n时,有如下关系式:= nabd即 8-5) ngbt 将式(8-5)代入式(8-3),得到 IB_.IB f611B=8d 式中,R为霍尔系数,它反映材料霍尔效应的强弱, 为霍尔灵敏度,它表 示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小,K=R/d, 它的单位是mV/(mAT)qEh=qvB 霍尔电场的强度为 Eh=vB (8-2) 在A与B两点间建立的电势差称为霍尔电压，用UH表示 UH= Ehb= vBb (8-3) 由式(8-3)可见，霍尔电压的大小决定于载流体中电子的运动速度，它随载流体材料的 不同而不同。材料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征，所谓载 流子迁移率，是指在单位电场强度作用下，载流子的平均速度值。载流子迁移率用符号μ 表示，μ=v/EI。其中EI是C、D两端面之间的电场强度。它是由外加电压U产生的，即EI＝U/L。 因此我们可以把电子运动速度表示为v=μU/l。这时式(8-3)可改写为: (8-4) 当材料中的电子浓度为n时，有如下关系式: I=nqbdv 即 (8-5) 将式（8-5）代入式（8-3），得到 (8-6) 式中， RH为霍尔系数，它反映材料霍尔效应的强弱， ；KH 为霍尔灵敏度，它表 示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小，KH=RH /d， 它的单位是mV/(mA·T) bB l U U H  = nqbd I v = K IB d IB IB R nqd UH = = H = H 1 nq RH 1 =