x=x+ki0.5 式中x一金属间化合物厚度(m):x0一金属间化合物初始厚度(m):k一扩散系数：t一时间。 对MC厚度散点图进行线性拟合，如图4所示，进而得出三种温度下PCB侧和元器件侧IMC厚度 生长曲线方程： Cu引线侧： 94℃：x=2.36×106+2.15×10-005 120C: x=1.87×10-6+2.96×10-100.5 150℃： x=2.15×10-6+4.78×10-905 PCB侧： 16*10+2以版稿 94C: x=1.87×10-6+1.57×10-10t0.5 120℃： 150C: x=1.74×10-6+2.8510-10 对比同侧的金属间化合物的生长速率，不难观察到，随着贮存温度的升高，金属间化合物的生长速 率加快，曲线的斜率逐渐增加，这是由于高温下，原矛的扩散速率更快所导致。 (a) 94℃ (b) as (e) 150℃ 28 7 25 ★“★ 1000 30 d 04C 120C f 150C℃ 00 1006 1500 1000 0.50s ,05 不同温度下焊点双侧界面处MC厚度随时间平方根变化.(a-c)Cu引线侧；(d-fPCB侧 Fig.4 Variation of IMC thickness with the increase of square root of aging time at different sides and temperature: (a-c)Cu lead side:(d-f)PCB side. 由于扩散系数k是温度的函数，其和温度的关系可以用阿伦尼乌斯方程来表示，即 k=Aexp(-Q/RT) 式中A—常数：Q—扩散激活能(/mol):R一气体常数：T—绝对温度(K)。 故而有0.5 0 x x kt   式中 x——金属间化合物厚度(m)；x0——金属间化合物初始厚度(m)；k——扩散系数；t——时间。 对 IMC 厚度散点图进行线性拟合，如图 4 所示，进而得出三种温度下 PCB 侧和元器件侧 IMC 厚度 生长曲线方程： Cu 引线侧： 94 °C: 6 10 0.5 x t 2.36 10 2.15 10       120 °C: 6 10 0.5 x t 1.87 10 2.96 10       150 °C: 6 9 0.5 x t 2.15 10 4.78 10       PCB 侧： 94 °C: 6 10 0.5 x t 1.87 10 1.57 10       120 °C: 6 10 0.5 x t 1.76 10 2.43 10       150 °C: 6 10 0.5 x t 1.74 10 2.85 10       对比同侧的金属间化合物的生长速率，不难观察到，随着贮存温度的升高，金属间化合物的生长速 率加快，曲线的斜率逐渐增加，这是由于高温下，原子的扩散速率更快所导致。 图 4 不同温度下焊点双侧界面处 IMC 厚度随时间平方根变化. (a-c) Cu 引线侧; (d-f) PCB 侧 Fig.4 Variation of IMC thickness with the increase of square root of aging time at different sides and temperature: (a-c) Cu lead side；(d-f) PCB side.. 由于扩散系数 k 是温度的函数，其和温度的关系可以用阿伦尼乌斯方程来表示，即 k Q RT  A exp - / （ ） 式中 A——常数；Q——扩散激活能(J/mol)；R——气体常数；T——绝对温度(K)。 故而有 录用稿件，非最终出版稿