x=x+At5 exp(-O/RT) 另外，将式k=Axp(-QRT)两边取对数有，根据三种温度下三条拟合曲线的斜率，可作lnk-l/T图，如 图3-8所示，通过曲线拟合（图7）可得截距及斜率，可确定Cu引线侧界面处MC生长动力学方 程为： x=2.31×106+0.41 Viexp-(641204 RT 同理，可获得PCB侧的MC生长动力学方程为： x=1.79x10+0.08fexp-66878l RT 18.75 (a) (b) 2100 19.50 2200 20.25 230 -21.00 21.75 出版稿 0.0023 0.0024 0.00250.00260.00270.0028 0.0025 0.0026 0.0027 0.0028 1/TK-1 圆5贮存试验中不同侧IMC生长的啊伦尼乌斯图.(a)Cu引线侧：(b)PCB侧 Fig.5 Arrhenius plot for the growth of IMCs during storing at different sides:(a)Cu lead side;(b)PCB side☑ 2.362Sn36Pb2Ag焊点寿命测 选取金属间化合物厚度为关键性能参数，◆金属间化合物生长动力学方程为关键性能退化函数， 对QP焊点的失效寿命进行了预测。从其生长动力学方程可以看出，引线侧MC的激活能与PCB 侧相差不大，说明两侧焊点相差不大，我们选取了PCB侧进行失效寿命预测。首先对未进行高温贮 存的QFP焊点PCB侧界面MC厚度进行了统计分析，进一步进行高斯分布拟合，所得概率密度函 数如下： =0.37exp(- (x-0.00000179)2 2×(2.12x10-72) 进一步及QFP焊点PCB侧IMC生长动力学方程以及3.5m的失效判据可以得到焊点可靠度 R(①，图6为可靠度随心存时间t的变化曲线，从图中可以看出QFP焊点的中位寿命o5为16092年， 特征寿命t为471年。0.5 0 x x At Q RT    exp( / ) 另外，将式 k=Aexp(-Q/RT)两边取对数有, 根据三种温度下三条拟合曲线的斜率,可作 lnk-1/T 图，如 图 3-8 所示，通过曲线拟合（图 7）可得截距及斜率，可确定 Cu 引线侧界面处 IMC 生长动力学方 程为： 6 64120.4 x t 2.31 10 0.41 exp( ) RT      同理，可获得 PCB 侧的 IMC 生长动力学方程为： 6 66878.1 x t 1.79 10 0.08 exp( ) RT      0.0023 0.0024 0.0025 0.0026 0.0027 0.0028 -21.75 -21.00 -20.25 -19.50 -18.75 lnk 1/T/K-1 0.0023 0.0024 0.0025 0.0026 0.0027 0.0028 -25.00 -24.00 -23.00 -22.00 -21.00 lnk 1/T/K-1 (a) (b) 图 5 贮存试验中不同侧 IMC 生长的阿伦尼乌斯图. (a) Cu 引线侧; (b) PCB 侧 Fig.5 Arrhenius plot for the growth of IMCs during storing at different sides: (a) Cu lead side; (b) PCB side. 2.3 62Sn36Pb2Ag 焊点寿命预测 选取金属间化合物厚度为关键性能参数，金属间化合物生长动力学方程为关键性能退化函数， 对 QFP 焊点的失效寿命进行了预测。从其生长动力学方程可以看出，引线侧 IMC 的激活能与 PCB 侧相差不大，说明两侧焊点相差不大，我们选取了 PCB 侧进行失效寿命预测。首先对未进行高温贮 存的 QFP 焊点 PCB 侧界面 IMC 厚度进行了统计分析，进一步进行高斯分布拟合，所得概率密度函 数如下： 2 7 2 ( 0.00000179) ( ) 0.37exp( ) 2 (2.12 10 ) x f x       进一步及 QFP 焊点 PCB 侧 IMC 生长动力学方程以及 3.5 μm 的失效判据可以得到焊点可靠度 R(t)，图 6 为可靠度随贮存时间 t 的变化曲线，从图中可以看出 QFP 焊点的中位寿命 t0.5为 16092 年， 特征寿命 t1/e为 17471 年。 录用稿件，非最终出版稿