维持辉光放电。射频溅射装置如图9-9所示。相当于直流溅射中的电源部分改由射频发生 器、匹配网络和电源代替，利用射频辉光放电产生溅射所需的正离子。射频所用电源的频 源在1~30MHz之间，通常使用的是13.56MHz 直方 地质罩 电子、 6外w 力线 Q 离 基片一 基片絮 图11-8磁控溅射原理 图11-7直流二级溅射原理图 射频溅射的特点有：①射频溅射除了可以沉积导体外，还可以沉积半导体、绝缘体靶 材：②海膜和衬底之间有效强的附着力；③谢频溅射制备的薄膜结构致密、针孔少、纯度 高：④可以方便地熔制薄隙的成分，工艺重复性校好：⑤射频悲射的工作气体压力带用宽 般在几百到10Pa之间。缺点是射颊溅射设备复杂，需要高压装置，由于受到荷能离了 的轰击，衬底温度及薄膜的结构会受到影响。 9.2.3离子镀法 离子镀（离子途辩）法是旅发法 档板 一阳极 一機射室 与溅射法相结合的方法，其原理如图 非射气体 排气 9-10所示。在充氩气的真空镀膜室 中，膜层材树科放在水令的铜坩锅中作 为蒸发源，用电子枪（或电阻、高频） 匹配回路 加热，使模层材料蒸发。其片转在度 RF电源(I3.56NHz 膜室上部的阴极上，而蒸发源装在镀 一匹配箱 膜室下部的阳极上。镀膜开始前，将 镀膜室上、下部先抽真空，达到 图9-9射频溅射装置示意图 1.33×103Pa时，上部通入氩气，真空度降到1.33Pa,下部仍抽真空，使其真空度保持在1.33× (1010Pa)。在蒸发膜层材料之前，先在阴极通负电压，使电离的氩离子轰击基片表面 进行溅射清洗，然后再镀膜。镀膜时给阴极加负高压（一1~一5kV),产生辉光放电，氩气 电离，蒸发的膜材料原子进入等离子场时，受到A的撞击而电离为离子，此离子在电场 中被加速。根据所加电压的不同，离子加速的能量在1~1000V之间，然后沉积在安装在 阴极上基片上形成薄膜。 离子镀可用于镀金属、氧化物、氟化物、硫化物、氯化物、硼化物及其混合物膜，如 金、银、铜、二氧化硅、二氧化钛、氟化镁、氟化铝、硫化锌、氮化钛薄膜等。此法既可 镀单层膜，也可镀多层镀膜系。离子膜与基片的附者力强，膜层不易脱落：膜层的密度高， 通常与大块膜层材料密度相同：绕镀性能好，基片背面也能镀上，对复杂形状的制品，膜 厚相对均匀：膜效率高，沉积速度快，可达到1~50μm/mi:离子轰击可清洁基片表面， 有利于膜层附着：镀膜过程中对环境的污染较小。 12