升至Vm的时间。 数字电路的基本单元是逻辑门电路。代表两个理想二进制状态的高、低电平 分别是电源电压wD和零。理想逻辑门的输入阻抗应当非常高,因而对输出驱动 信号的激励源说来,几乎无负载效应。理想逻辑门的输出阻抗应很低,即可以输 出较大的电流而不影响输出电平.最后对理想逻辑门而言,逻辑状态的改变应不 花费时间,亦即逻辑电平的变化应是阶跃的。如图3-4所示。十分明显,实际的 逻辑门电路与理想的逻辑门电路有较大的差异。 CMoS集成电路中的基本器件是MoS晶体管。在一定条件下,MoS晶体管也可 作电阻和电容使用.当然,在MOS工艺中也可以制作专门设计的电阻和电容。有 了这些元件就能制造各种不同的电路.在数字电路中,最简单的单元电路是MOS 倒相器。 种最简单的Mo0S单元电路如图 3-5所示。我们从上一章的讨论已经 v 知道,在相同条件下NMoS晶体管性能 V.a-VD 优于PMOS晶体管,所以图3-5中的 MoS晶体管通常是增强型NMoS晶体 管,称为驱动管.该电路负载都可以 图3-5简单的MOS倒相器电路 是半导体电阻或各种MoS晶体管,并 因所使用晶体管种类不同而有不同的名称。例如,当负载是耗尽型MMoS晶体管时 该电路称为E/D倒相器(数字电路中) 本章将讨论一些基本MoS单元电路的分析与设计方法。必须说明,各集成电 路生产厂商都有自己精心设计的基本单元电路,一般不必再自行设计.但是,在 专用集成电路设计中却有可能需要对某些单元电路专门设计以达到其“专用”的 目的升至V1/2的时间。 数字电路的基本单元是逻辑门电路。代表两个理想二进制状态的高、低电平 分别是电源电压 VDD 和零。理想逻辑门的输入阻抗应当非常高，因而对输出驱动 信号的激励源说来，几乎无负载效应。理想逻辑门的输出阻抗应很低，即可以输 出较大的电流而不影响输出电平．最后对理想逻辑门而言，逻辑状态的改变应不 花费时间，亦即逻辑电平的变化应是阶跃的。如图 3-4 所示。十分明显，实际的 逻辑门电路与理想的逻辑门电路有较大的差异。 CMOS 集成电路中的基本器件是 MOS 晶体管。在一定条件下，MOS 晶体管也可 作电阻和电容使用．当然，在 MOS 工艺中也可以制作专门设计的电阻和电容。有 了这些元件就能制造各种不同的电路．在数字电路中，最简单的单元电路是 MOS 倒相器。 一种最简单的 MOS 单元电路如图 3-5 所示。我们从上一章的讨论已经 知道，在相同条件下 NMOS 晶体管性能 优于 PMOS 晶体管，所以图 3-5 中的 MOS 晶体管通常是增强型 NMOS 晶体 管，称为驱动管．该电路负载都可以 是半导体电阻或各种 MOS 晶体管，并 因所使用晶体管种类不同而有不同的名称。例如，当负载是耗尽型 NMOS 晶体管时 该电路称为 E／D 倒相器(数字电路中)。 图 3-5 简单的 MOS 倒相器电路 本章将讨论一些基本 MOS 单元电路的分析与设计方法。必须说明，各集成电 路生产厂商都有自己精心设计的基本单元电路，一般不必再自行设计．但是，在 专用集成电路设计中却有可能需要对某些单元电路专门设计以达到其“专用”的 目的．