200nm 200nm 200nm ■4450C/8h一次时效后进行50%冷轧及二次时TEM明场像形貌：(a)冷轧态，(b)400C/1h,(c)400C/2h Fig.4 The TEM bright field images of alloy after the preaging at 450C/8h,then cold rolling of 50%,followed by aging at (a)400G/0h,(b)400C/1h:(c)400C/2h 对二次时效合金的TEM明场像组织进作了观察分析，图4(a)是一次时效450C/8h后冷轧50% 样品的TEM明场像形貌，存在大量的位错和位错胞，时效450C/8h后出现的再结晶组织也依然存 在。由于冷变形，晶粒组织以及时效析出的片层状B-C4T相都发生了扭转变形，具备了很高的储 存能。再进行二次时效处理，一次时效未充分析出的富Ti组织重新析出，同时二次时效400℃/1h处 理表现出部分再结晶，如图4(b)所示，这样的组织变化，一方面时效析出的-Cu4Ti相能够提高合 金的强度，而部分再结晶对于合金导 电率的提升有帮助。二次时效400℃2h处理后，合金基本完成 再结晶，合金强度降低。 4结论 (1) 采用真空特和制备工艺的优化，制备出了综合性能优异的Cu-3Ti-0.1Mg-0.05B-0.05La合 金，合金经过A00C2h>次时效处理后，合金的硬度达到356HV,导电率为14.5%ACS。采用二 次时效能够提高C-3T-0.1Mg-0.05B-0.05La合金的综合性能，一次时效450C/8h+50%冷轧+二次时 效400℃/1h处理后合金的硬度和导电率分别达到了341HV和20.5%lCS (2)探明了Cu-3Ti-0.1Mg-0.05B-0.05La合金第二相析出规律及与性能之间的关系。第二相的演 变规律：富Ti相→颗粒状B'-Cu4Ti相→颗粒状B'-CuTi相+片层状B-Cu4Ti相→片层状B-Cu4Ti相， 其中颗粒状B'-Cu4Ti相是最重要的强化相，片层状阝-CuT相会导致合金强度下降，但可以提高导 电率。 参考文献 [1]Gorsse S,Ouvrard B,Goune M,et al.Microstructural design of new high conductivity-high strength Cu-based alloy.J Alloy Compd,2015,633:42-47图 4 450 /8h ℃ 一次时效后进行 50%冷轧及二次时效 TEM 明场像形貌: (a)冷轧态; (b)400 /1h; (c) 400 /2h ℃ ℃ Fig.4 The TEM bright field images of alloy after the pre-aging at 450 /8h, then cold rolling of 50%, followed by ℃ aging at (a) 400 /0h; (b) 400 /1h; (c) 400 /2h ℃ ℃ ℃ 对二次时效合金的 TEM 明场像组织进行了观察分析，图 4(a)是一次时效 450 /8h ℃ 后冷轧 50% 样品的 TEM 明场像形貌，存在大量的位错和位错胞，时效 450 /8h ℃ 后出现的再结晶组织也依然存 在。由于冷变形，晶粒组织以及时效析出的片层状 β-Cu4Ti 相都发生了扭转变形，具备了很高的储 存能。再进行二次时效处理，一次时效未充分析出的富 Ti 组织重新析出，同时二次时效 400 /1h ℃ 处 理表现出部分再结晶，如图 4(b)所示。这样的组织变化，一方面时效析出的 β′-Cu4Ti 相能够提高合 金的强度，而部分再结晶对于合金导电率的提升有帮助。二次时效 400 /2h ℃ 处理后，合金基本完成 再结晶，合金强度降低。 4 结论 (1) 采用真空熔铸和制备工艺的优化，制备出了综合性能优异的 Cu-3Ti-0.1Mg-0.05B-0.05La 合 金，合金经过 400 /2h ℃ 一次时效处理后，合金的硬度达到 356 HV，导电率为 14.5%IACS。采用二 次时效能够提高 Cu-3Ti-0.1Mg-0.05B-0.05La 合金的综合性能，一次时效 450 /8h+50% ℃ 冷轧+二次时 效 400 /1h ℃ 处理后合金的硬度和导电率分别达到了 341 HV 和 20.5%IACS (2) 探明了 Cu-3Ti-0.1Mg-0.05B-0.05La 合金第二相析出规律及与性能之间的关系。第二相的演 变规律：富 Ti 相→颗粒状 β′-Cu4Ti 相→颗粒状 β′-Cu4Ti 相+片层状 β-Cu4Ti 相→片层状 β-Cu4Ti 相， 其中颗粒状 β′-Cu4Ti 相是最重要的强化相，片层状 β-Cu4Ti 相会导致合金强度下降，但可以提高导 电率。 参 考 文 献 [1] Gorsse S, Ouvrard B, Gouné M, et al. Microstructural design of new high conductivity – high strength Cu-based alloy. J Alloy Compd, 2015, 633: 42-47 录用稿件，非最终出版稿