模拟电子技术基础电子教案 第一章常用半导体器件主要授课内容 备注 :○ 2.本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴。 在其它力的作用下,空穴吸引附近的电子来填补,这样的结果相当于空穴的迁移 而空穴的迁移相当于正电荷的移动,因此可以认为空穴是载流子 本征半导体中电流由两部分组成 1.自由电子移动产生的电子电流。 空穴移动产生的空穴电流 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度 温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半 导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点 1.1.2杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质(元素),就会使半导体的导电性能发生显 著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体,也称为(电子半导体)。 P型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为(空穴半导体) N型半导体 型半导体 P型半导体 1、由施主原子提供的电子,浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。 自由电子称为多数载流子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。 二、P型半导体 P型半导体中空穴是多子,电子是少子。模拟电子技术基础 电子教案 - 3 - 第一章 常用半导体器件 主要授课内容 备 注 2.本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电子电流。 2. 空穴移动产生的空穴电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半 导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质（元素），就会使半导体的导电性能发生显 著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 一、N 型半导体 N 型半导体 P 型半导体 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。 自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 二、P 型半导体 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子