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模拟电子技术基础电子教案 第一章常用半导体器件主要授课内容 备注 1.1.3NN结 PN结的形成 宰穴负离子止离子自由电子 空间电荷区 o°eooo|o| Soolooloolo oo PN结的单向导电性 1、PV结正向偏置 耗尽层 ogoojolojoooo 9 ooo@oo.° 内电场 2、PV结反向偏置 o oioooooojo o ⊙⊙@⊙ oe③⑥d 三、NN结的电流方程 (e*r-1) kT 26m Is(eT-l)模拟电子技术基础 电子教案 - 4 - 第一章 常用半导体器件 主要授课内容 备 注 1.1.3 PN 结 一、 PN 结的形成 二、 PN 结的单向导电性 1、PN 结正向偏置 2、PN 结反向偏置 三、 PN 结的电流方程 ( 1) ( 1)     UT u S kT qu S I e i I e mV q kT UT   26
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