拟电子彼求 第2章半导体三极管 GG 2.工作原理 SGSIG D N P型针底 TB反型展 1)ucs对导电沟道的影响(uns=0) a.当Ues=0,DS间为两个背对背的PN结; b.当0<U<U(m)(开启电压)时,GB间的垂直电 场吸引P区中电子形成离子区(耗尽层) Ulcs≥U6 GS GS(th) 时,衬底中电子被吸引到表面,形 成导电沟道。us越大沟道越厚2. 工作原理 1)uGS对导电沟道的影响 (uDS = 0) a. 当 UGS = 0 ，DS 间为两个背对背的 PN 结； b. 当 0 < UGS < UGS(th)(开启电压)时，GB 间的垂直电 场吸引 P 区中电子形成离子区(耗尽层)； c. 当 uGS  UGS(th) 时，衬底中电子被吸引到表面，形 成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚。 反型层 (沟道) 第 2 章 半导体三极管