拟电子彼求 第2章半导体三极管 MOS工作原理 2)uDs对i的影响(uos>Us(m) GG VDD DS间的电位差使 s"esb沟道呈楔形,lns↑, 靠近漏极端的沟道厚 P型行底 度变薄 B 预夹断(UcD=Us(m):漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前:uD5↑iD↑ 预夹断发生之后:WDs↑i不变。2) uDS 对 iD的影响(uGS > UGS(th)) DS 间的电位差使 沟道呈楔形，uDS， 靠近漏极端的沟道厚 度变薄。 预夹断(UGD = UGS(th) )：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS iD。 预夹断发生之后：uDS iD 不变。 MOS工作原理 第 2 章 半导体三极管