研究内容：针对材料紫外光电子发射特性和半导体表面电子 结构表征等检测需求，突破真空紫外光源、真空紫外单色仪、真 空紫外光电探测器等关键技术，开发具有自主知识产权、质量稳 定可靠、核心部件国产化的紫外光电子谱分析仪，开发相关软件 和数据库，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，实现在宇 航级材料和半导体材料等领域的应用。 考核指标：波长范围115-400nm;光源功率≥100W;单色仪 波长分辨率≤0.1nm；收集增益≥10；发射产额测试范围 10610'elph;表面分析能量范围3.2-10eV;表面分析能量分辨 率≤0.01eV.项目完成时通过可靠性测试和第三方异地测试，平 均故障间隔时间≥3000小时，技术就绪度不低于8级；至少应用 于2个领域或行业。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产 权数量，具有自主知识产权；形成批量生产能力，经用户试用， 满足用户使用要求。 1.8多自由度非接触三维光学扫描仪 研究内容：针对狭小腔体、狭长管体和叶片状零件等检测需 求，突破三维非接触光学旋转扫描仪整机误差补偿、基于场景定 位的自动路径规划方法、适用于狭小腔体类零部件检测的复合高 精度三维扫描成像探测等关健技术，开发具有自主知识产权、质 量稳定可靠、核心部件国产化的三维非接触光学旋转扫描仪，并 实现在校准实验室、航空航天、国防工业和汽车工业等领城的应 用验证。 -521- 首都医科大学 A00089 — 521 — 研究内容：针对材料紫外光电子发射特性和半导体表面电子 结构表征等检测需求，突破真空紫外光源、真空紫外单色仪、真 空紫外光电探测器等关键技术，开发具有自主知识产权、质量稳 定可靠、核心部件国产化的紫外光电子谱分析仪，开发相关软件 和数据库，开展工程化开发、应用示范和产业化推广，实现在宇 航级材料和半导体材料等领域的应用。 考核指标：波长范围 115~400nm；光源功率≥100W；单色仪 波长分辨率≤0.1nm；收集增益≥106；发射产额测试范围 10-6~10-1el/ph；表面分析能量范围 3.2~10eV；表面分析能量分辨 率≤0.01eV。项目完成时通过可靠性测试和第三方异地测试，平 均故障间隔时间≥3000 小时，技术就绪度不低于 8 级；至少应用 于 2 个领域或行业。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产 权数量，具有自主知识产权；形成批量生产能力，经用户试用， 满足用户使用要求。 1.8 多自由度非接触三维光学扫描仪 研究内容：针对狭小腔体、狭长管体和叶片状零件等检测需 求，突破三维非接触光学旋转扫描仪整机误差补偿、基于场景定 位的自动路径规划方法、适用于狭小腔体类零部件检测的复合高 精度三维扫描成像探测等关键技术，开发具有自主知识产权、质 量稳定可靠、核心部件国产化的三维非接触光学旋转扫描仪，并 实现在校准实验室、航空航天、国防工业和汽车工业等领域的应 用验证