垂直于膜面向下加外磁场H。（偏磁场)，随H,逐 渐增加，“明畴面积增大，“暗畴”面积减小，直至 出现圆柱状磁畴（小圆点) 磁泡。 如再增加H,达到某一定值，磁泡破灭，膜片达到 饱和磁化。垂直于膜面向下加外磁场 （偏磁场），随 逐 渐增加， “明畴 ”面积增大， “暗畴 ”面积减小，直至 出现圆柱状磁畴（小圆点）——磁泡。 HB HB 如再增加 ，达到某一定值，磁泡破灭，膜片达到 饱和磁化。 HB