专题选读9磁泡
专题选读9 磁 泡
磁泡 磁泡即磁畴,用其可制造较大容量的存储器。 一、磁泡的形成 用钇铁石榴石制作磁性薄膜,使其易磁化方向垂直 于膜面。 由于垂直方向发生自发磁化,磁畴分布呈迷宫状
磁泡即磁畴,用其可制造较大容量的存储器。 一、磁泡的形成 用钇铁石榴石制作磁性薄膜,使其易磁化方向垂直 于膜面。 由于垂直方向发生自发磁化,磁畴分布呈迷宫状。 磁 泡
磁性薄膜上的磁畴照片 亮处为“明畴”,其磁化矢量方向垂直膜面向 下,而“暗畴”则相反
磁性薄膜上的磁畴照片 亮处为 “明畴 ”,其磁化矢量方向垂直膜面向 下,而 “暗畴 ”则相反
垂直于膜面向下加外磁场H。(偏磁场),随H,逐 渐增加,“明畴面积增大,“暗畴”面积减小,直至 出现圆柱状磁畴(小圆点) 磁泡。 如再增加H,达到某一定值,磁泡破灭,膜片达到 饱和磁化
垂直于膜面向下加外磁场 (偏磁场),随 逐 渐增加, “明畴 ”面积增大, “暗畴 ”面积减小,直至 出现圆柱状磁畴(小圆点)——磁泡。 HB HB 如再增加 ,达到某一定值,磁泡破灭,膜片达到 饱和磁化。 HB
二、磁泡的畴壁结构 1.布洛赫壁 将某个磁泡放大,则畴壁可看作是一个平面畴壁。 在畴壁上方(y>0),磁化方向指向z轴负方向。 在畴壁下方(y<0),磁化方向指向z轴正方向。 y 8 M(磁化强度) 畴壁 M
二、磁泡的畴壁结构 将某个磁泡放大,则畴壁可看作是一个平面畴壁。 在畴壁上方( y> 0 ),磁化方向指向 z 轴负方向。 在畴壁下方( y<0 ),磁化方向指向 z 轴正方向。 1. 布洛赫壁
研究表明,在y=0处磁化矢量方向逐渐变化
研究表明,在 y=0 处磁化矢量方向逐渐变化
存在两种过渡方式: M M M M 右旋Bloch壁 左旋Bloch壁
存在两种过渡方式: 右旋 Bloch 壁 左旋 Bloch 壁
对应圆柱状的磁泡畴壁也有两种模式。 M M M⊙ ⑧M 左旋Bloch壁 右旋Bloch壁
对应圆柱状的磁泡畴壁也有两种模式。 左旋 Bloch 壁 右旋 Bloch 壁
2.布洛赫线 研究表明,畴壁中可能同时存在两种旋转方式。 两种方式的交接处有一条垂直于膜面的线 布洛赫线(Bloch line)。 布洛赫线有四种过渡形式 M ⑧M ▣M OM M☒ M⑧ M M
研究表明,畴壁中可能同时存在两种旋转方式。 两种方式的交接处有一条垂直于膜面的线—— 布洛赫线( Bloch line)。 布洛赫线有四种过渡形式 2. 布洛赫线
三、磁泡存储器与布拉赫线存储器 1.磁泡存储器 利用磁泡的有与无,可作为二进制数码的“0” 和“1”。 磁泡具有产生、传输、检测、复制和擦除等功 能,可用作存储器
三、磁泡存储器与布拉赫线存储器 1. 磁泡存储器 利用磁泡的有与无,可作为二进制数码的“0” 和“1” 。 磁泡具有产生、传输、检测、复制和擦除等功 能,可用作存储器