§3.3CMOS门电路 3.3.2CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、CMOS反相器的电路结构 o G2 D G p+ N P+ N P阱 N型衬底 (a)结构示意图 (b)电路图 2017-8-4 第三章门电路 §3.3 CMOS门电路 ●工作原理 设T和T的开启电压为Vsh)p和VGs(N VpD VasoN =Yas>asVasop T和I,具有相同的导通内阻RoN, T和T,具有相同的截止内阻RoF (I)y,='m='oo时 VGsI=0<VGsPYGs2=VDD >VGSuN T截止，T,导通，VoL≈0 (2)y,='L=0时 Y'GSI=VDD >VGsPYGS2 =0<VGsN T导通，T截止，VoH≈VD 2017-8-4 第三章门电路 182017-8-4 第三章 门电路 17 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 §3.3 CMOS门电路 一、CMOS反相器的电路结构 （a）结构示意图 （b）电路图 2017-8-4 第三章 门电路 18 OFF ON GS th N GS th P DD GS th N GS th P GS th P GS th N T T R T T R V V V V V T T V V 和 具有相同的截止内阻 和 具有相同的导通内阻 ，且 设 和 的开启电压为 和 ， 1 2 1 2 ( ) ( ) ( ) ( ) 1 2 ( ) ( ) , = > + , §3.3 CMOS门电路 z工作原理 (2)vI =VIL = 0时 GS DD GS th P GS VGS th N v V V v 1 ( ) 2 0 ( ) = > , = < T1 导通，T2截止，VOH ≈VDD (1)vI =VIH =VDD时 GS GS th P GS VDD VGS th N v V v 1 ( ) 2 ( ) = 0 < , = > 0 T1截止，T2导通，VOL ≈