§3.2 MOSFET 。 掺入硼BⅢ族元素，增加空穴，形成p型材料； 。 提供空穴的杂质原子称为受主掺杂剂； 掺杂浓度N。=104→10/cm3 。1 型材料中，每个受主提供一个空穴，空穴为多子， 浓度为pp;电子为少子，浓度为n。 并有Pp≈N。 np≈ N 2018-9-5 第3章CMOS集成电路的物理结构 §3.2 MOSFET 电导率σ 。 载流子密度为n和p的半导体区域电导率： =q(u n+upp) ·式中："n和"p为电子和空穴迁移率，cmVs) 常温下本征硅： 4n=1360cm/(V.s) 'p=480cm/(V.s) 本征硅电导率ō≈4.27×10-6/2·cm) 本征硅电阻率p=1/o≈2.34×102cm ·N型材料：o≈q4nn ·P型材料：O≈q4pp 2018-9-5 第3章CMOS集成电路的物理结构 182018-9-5 第3章 CMOS集成电路的物理结构 17 • 掺入硼B III族元素，增加空穴，形成p型材料； • 提供空穴的杂质原子称为受主掺杂剂； • 掺杂浓度 • p型材料中，每个受主提供一个空穴，空穴为多子， 浓度为pp；电子为少子，浓度为np • 并有 14 19 3 Na =10 →10 / cm 3 2 / cm N n n a i p ≈ pp ≈ Na §3.2 MOSFET 2018-9-5 第3章 CMOS集成电路的物理结构 18 电导率σ • 载流子密度为n和p的半导体区域电导率： • 式中： 和 为电子和空穴迁移率， • 常温下本征硅： • 本征硅电导率 • 本征硅电阻率 • N型材料： • P型材料： q( n p) σ = μ n + μ p μ n μ p 1360cm /(V s) 2 = ⋅ μn 480cm /(V s) 2 = ⋅ μ p cm /(V s) 2 ⋅ 4.27 10 /( cm) 6 ≈ × Ω⋅ − σ 1/ 2.34 10 cm 5 ρ = σ ≈ × Ω⋅ σ ≈ qμ n n σ ≈ qμ p p §3.2 MOSFET