。490 北京科技大学学报 第32卷 200nm 图1MS-基底上生长的SO纳米线阵列的SM图.()俯视图：(b截面图 Fg 1 SEM mages of Sno nanow ire armays grovn an MST substrates (a)op view (b)cos-sectioml view 具有一定的c轴取向.通过比较MST-基底上的 aITO SO晶种和样品S9纳米线阵列的XRD可以得 出，在MST-基底上的S9晶种为球形颗粒，具有 一定的轴取向：正是这些具有取向性的SQ晶种 诱导了SO纳米阵列的高度定向生长 图3(a为SO纳米线阵列的T田M图.由图可 见单分散的SO纳米线长约100四直径约8四 b 结合其S田M截面图图1(b)分析，此单分散的纳 米线应为SO纳米线阵列的单分散层，在M制 60 样过程中在乙醇中经过超声易于分散为单根纳米 图2MST基底上生长的SO纳米线阵列(a和MST-基底(b) 线.SQ纳米线阵列的致密层经过超声分散后仍 的XRD图 紧密连接在一起不易分散为单根的纳米线如 Fg 2 XRD paten of 90 narow ire armys grovn on MST sub. 图3(a冲黑色部分所示.图3(b)为S9纳米线 strates (a)and XRD Pa ttem ofMST substma tes b) 的HRTEME图.从图中可以看出，纳米线的晶化程度 较好，晶体晶面间距为0.34四这一数值与SQ 峰较弱，但是(110)晶面的衍射峰强度相应明显减 (110)晶面的面间距相吻合，进一步说明了SQ纳 弱，因此可以推测得出MST-基底上的SQ晶种也 米线是沿[001山方向定向生长的. 致密层 50 nm 3 nm 图3MST-基底上生长的SO钠米线阵列的TDM像(a)和HRTEM像(b) Fg 3 TEM (a)and HRTEM mages(b)of SnO mnowv ire armays grovn on MST-substrates北 京 科 技 大 学 学 报 第 32卷 图 1 MST--基底上生长的 SnO2 纳米线阵列的 SEM图.(a)俯视图;(b)截面图 Fig.1 SEMimagesofSnO2 nanowirearraysgrownonMST-substrates:(a)topview;(b)cross-sectionalview 图 2 MST-基底上生长的 SnO2 纳米线阵列(a)和 MST--基底(b) 的 XRD图 Fig.2 XRDpatternofSnO2 nanowirearraysgrownonMST-sub￾strates(a)andXRDpatternofMST-substrates(b) 图 3 MST--基底上生长的 SnO2 纳米线阵列的 TEM像(a)和 HRTEM像(b) Fig.3 TEM(a)andHRTEMimages(b)ofSnO2 nanowirearraysgrownonMST-substrates 峰较弱 ,但是 (110)晶面的衍射峰强度相应明显减 弱 ,因此可以推测得出 MST--基底上的 SnO2 晶种也 具有一定的 c轴取向 .通过比较 MST--基底上的 SnO2 晶种和样品 SnO2 纳米线阵列的 XRD可以得 出, 在 MST--基底上的 SnO2 晶种为球形颗粒 , 具有 一定的 c轴取向;正是这些具有取向性的 SnO2 晶种 诱导了 SnO2 纳米阵列的高度定向生长. 图 3(a)为 SnO2 纳米线阵列的 TEM图 .由图可 见, 单分散的 SnO2 纳米线长约 100 nm,直径约 8 nm. 结合其 SEM截面图 (图 1(b))分析 , 此单分散的纳 米线应为 SnO2 纳米线阵列的单分散层, 在 TEM制 样过程中在乙醇中经过超声易于分散为单根纳米 线.SnO2 纳米线阵列的致密层经过超声分散后仍 紧密连接在一起, 不易分散为单根的纳米线, 如 图 3(a)中黑色部分所示.图 3(b)为 SnO2 纳米线 的 HRTEM图 .从图中可以看出, 纳米线的晶化程度 较好 , 晶体晶面间距为 0.34 nm, 这一数值与 SnO2 (110)晶面的面间距相吻合 ,进一步说明了 SnO2 纳 米线是沿 [ 001] 方向定向生长的 . · 490·