从而据此在3d,4s电子在金属的晶格周期场中运动的基础上发展 了巡游电子模型，其主要内容如下： ①巡游电子分布在能带中。Fe,Co,Ni的磁性负载者是3d能带中 的空穴，其磁矩数目由空穴数决定。 ②巡游电子之间相互作用可用分子场近似方法给出分子场H, 与磁化强度成比例：Hm=号nml/4其中m相对磁化强 度，n为每个原子3d能带中空穴数。I为Stoner-Hubband参数， 相应的分子场能量为：E,m=-n2m21 取决于由多体相互作用效应所引起的关联和交换作用 ③在一定温度下，电子在能级中的分布遵从Fermi-Dirac统计。从而据此在3d,4s电子在金属的晶格周期场中运动的基础上发展 了巡游电子模型，其主要内容如下： ①巡游电子分布在能带中。Fe,Co,Ni的磁性负载者是3d能带中 的空穴,其磁矩数目由空穴数决定。 ②巡游电子之间相互作用可用分子场近似方法给出分子场 与磁化强度成比例: 其中 相对磁化强 度，n为每个原子3d能带中空穴数。I为Stoner-Hubband参数， 相应的分子场能量为： I取决于由多体相互作用效应所引起的关联和交换作用 ③在一定温度下,电子在能级中的分布遵从Fermi-Dirac 统计。 H m 1 2 / H nmI m B   m 1 2 2 E n m I m 4  