d=0V<V1) Rd:正向导通区平均内阻 硅二极管:V≈0至07 锗二极管:V≈0.2v 当加在二极管上的反向电压大于某个值时,反向电 流会急剧增加,这个电压称:反向击穿电压。Rd:正向导通区平均内阻 硅二极管： 锗二极管： 当加在二极管上的反向电压大于某个值时，反向电 流会急剧增加，这个电压称：反向击穿电压。 ( ) D T D T V V rd V V id = ≥ - ( ) VD < VT id = 0 V 0 5v 0 7v T ≈ . 至 . V 0 2v T ≈