第二章门电路 21概述 用于实现基本逻辑运算和符合逻辑运算的单元 电路通称门电路。 基本逻辑运算:与、或、非 复合逻辑运算:与非、或非、与或非、同或、 异或等
第二章 门电路 2.1 概述 用于 实现基本逻辑运算和符合逻辑运算的单元 电路通称门电路。 基本逻辑运算:与、或、非 复合逻辑运算:与非、或非、与或非、同或、 异或等
22半导体二极管和三极管的开关特性 221半导体二极管的开关特性 VD:二极管两端电压 id:流过二极管电流 (正向电流) I:反向漏电流 Vr:二极管开启电压
2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.2.1 半导体二极管的开关特性 VD id 0 I id VD VD:二极管两端电压 id: 流过二极管电流 (正向电流) I0:反向漏电流 VT:二极管开启电压
d=0V<V1) Rd:正向导通区平均内阻 硅二极管:V≈0至07 锗二极管:V≈0.2v 当加在二极管上的反向电压大于某个值时,反向电 流会急剧增加,这个电压称:反向击穿电压
Rd:正向导通区平均内阻 硅二极管: 锗二极管: 当加在二极管上的反向电压大于某个值时,反向电 流会急剧增加,这个电压称:反向击穿电压。 ( ) D T D T V V rd V V id = ≥ - ( ) VD < VT id = 0 V 0 5v 0 7v T ≈ . 至 . V 0 2v T ≈
二极管具有单向导电性 “开态”等效电路 “关态”等效电路 正向v加上,二极管 正向电压小于Vr,或 导通且钳位Vro 反向偏压,二极管处于 “关态
二极管具有单向导电性 “开态”等效电路 正向VT加上,二极管 导通且钳位VT。 “关态”等效电路 正向电压小于VT,或 反向偏压,二极管处于 “关态”。 VT
二极管反向恢复过程 反向恢复过程:二极管由正向导通转为反 向截止所需的过渡过程时间 实际是电荷的存储效应。 两状态转换有一个过程,从导通到截止,或从截 止到导通都需要一定时间。这个时间称为二极管 开关时间。 截止一导通:正向开通时间(小) 导通截止:反向恢复时间(大)
二极管反向恢复过程 反向恢复过程:二极管由正向导通转为反 向截止所需的过渡过程时间。 实际是电荷的存储效应。 两状态转换有一个过程,从导通到截止,或从截 止到导通都需要一定时间。这个时间称为二极管 开关时间。 截止—导通:正向开通时间(小); 导通—截止:反向恢复时间(大)
222半导体三极管的开关特性 1)双极性三极管开关特性 静态特性 C 饱和区 C R C 放大区 CE B 截止区
2.2.2 半导体三极管的开关特性 1)双极性三极管开关特性 静态特性 RB RC VCE Vi E i C i B i VCC VCE C i 饱和区 放大区 截止区