Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly MOS:源和漏 Source/ Drain P MOS器件的源区和漏区在结构和工艺加工上是完全 相同的,在使用中可以被交换,但是为了分析的方 便还是需要区分 ■源端是载流子流岀的一端(载流子的来源 source), 漏端是载流子流入的一端(载流子在这里消失 drain) ■源漏区是半导体表面高掺杂的区域,作为源漏电极 衬底电极也需要高掺杂的欧姆接触,只是其掺杂极 性同源漏区相反7 MOS：源和漏  MOS器件的源区和漏区在结构和工艺加工上是完全 相同的，在使用中可以被交换，但是为了分析的方 便还是需要区分  源端是载流子流出的一端（载流子的来源source）， 漏端是载流子流入的一端（载流子在这里消失 drain）  源漏区是半导体表面高掺杂的区域，作为源漏电极  衬底电极也需要高掺杂的欧姆接触，只是其掺杂极 性同源漏区相反 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only