Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly MOS:漏,栅,源,衬 Source/ Drain P MOs作为四端器件在漏电压,栅电压,源电压和衬 底电压的作用下工作 栅极的隔离是靠绝缘的栅氧化层,同半导体表面上 的其他三个电极隔开 源极和漏极同衬底接触,源漏和衬底的隔离是靠形 成的反向PN结 源极和漏极之间由两个PN结隔开 因此,在MOS器件的工作过程中需要保持源漏同衬 底之间的PN结0偏或者是反偏8 MOS：漏，栅，源，衬  MOS作为四端器件在漏电压，栅电压，源电压和衬 底电压的作用下工作  栅极的隔离是靠绝缘的栅氧化层，同半导体表面上 的其他三个电极隔开  源极和漏极同衬底接触，源漏和衬底的隔离是靠形 成的反向PN结  源极和漏极之间由两个PN结隔开  因此，在MOS器件的工作过程中需要保持源漏同衬 底之间的PN结0偏或者是反偏 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only