朱军等:SU-85光刻胶的应用工艺研究 3结论 我们经过几种基底试片的整个工艺条件 的研究,得到下面一些结果 (1)对Cu,Au与Ti底膜基片,在紫外波 长365mm,功率密度12mw/cm2条件下曝光, 最佳的工艺条件是:曝光6分钟,在85℃中 烘10分钟,显影4分钟,对FeNi底膜基片, 在相同的紫外波长与功率密度条件下曝光,图1(a1885光刻胶图1(bSU85光刻胶 最佳的工艺条件是:曝光90秒,在85℃中烘 齿轮电镜照片 线条电镜照片 15分钟,显影4分钟,这是因为FeNi底膜反 (3)在研究中我们发现,一些工艺条件 射严重,为保证图形质量不得不将曝光取在 是相互关联,相互制约的。如从改善图形底 下限,通过增加中烘以确保光刻胶具有一定 部钻蚀来看,希望整个曝光区域被充分曝光 的抗显影能力。 和热铰链,这就是说有必要增加曝光和中烘 (2)四种不同的金属底膜与S85 光刻胶的结合强度是不同的,其中T底膜与 时间,而曝光时间长,图形质量会随曝光时间 增加而下降,且中烘时间过长,会引起胶起弓 SU85的结合明显优于其它几种,在底剧烈,光刻胶显影困难等,因此曝光和中烘要 膜上制备的具有高深宽比的光刻胶图形能完 全具备抗显影液及电镀液的能力,因此对于 综合考思,取最适合整体质量的工艺条件 (4)图1(a)(b)是SU-85光刻胶图形的 在SU-85高深宽比介质微结构基础上复制 电镜照片,光刻胶高度都是30微米,图1(b) 金属微结构与微零件工艺而言,最佳的金属 中为三根线条,其中长线条宽度是5微米,两 底膜是T。这是自去年SU8系列光刻胶商 根短线条的宽度均是10微米。从电镜照片 品化以来,国内外文献中所未报道过的。 来看,图形侧壁陡直性好。这是正性光刻胶 难以做到的。 参考文献: [Il Lovenz H Despont M, Fahrni N. High-aspectratin, ultrmthck, negative tone tier-UV Photoresist and its ap- plications for MEMS[J). Sensors and Achutrs, 1998,A64: 33-39 [2. Lee K Y, IaHiancn N, Rishter $ A Micmnuiching application of s High resolution With thick Pkosturesis[J. 」 ac Sci terhune,195,1l3(6):3012-3016 [3] Eyre B, Blosiu J, wiberg D. Taguchi Opeimization for the Proxtssing of epon Sr8 resist[C]. In: Proceeding ol the IEEE Micro Electro Mechanical Systems, 1998, 218-222 万方数据#¨§an##《dH∞《十IZ*# ∞ⅢA，*ⅫT自!镕*， (¨目(-t，Au’』T-月Ⅸ#H．＆*"＆ K 365nm，n}女月12tt-wtnf§”F《]t ＆＆∞T2*#n《±6*#．t 85r÷ *10**B#4**”FeNiB*￡H ☆“月∞镕*#K5日$女m§#r％№， 日＆白勺IZ**￡％m 90#．Ⅱ85℃十m 15j}*R$4*#，tE目～Tw，R#Ⅲ *Pi女RⅡ目mm目{*f#*№m＆ FRⅢn镕m pm“m*№“Kj}☆m ∞#B#∞^ (2} H#*目∞±目E《自sIl 8 5 *Ⅲ*∞“jⅫ＆≈T日∞II十“1匠№b sII#5”*☆刚】＆№十#E儿_¨，＆li E ⅨM*∞A《日*日【E∞mⅫ＆Hm％≈ ±#*nⅡ％＆Ⅱm镕镕∞№女HnH十 ＆SU 8 5≈*日№n自m#∞4Ⅷ±￡㈣ ±目#镕目目№g*1￡m汛＆＆∞±月 EmB“。H月自★4sL{％Ⅻ№d*m *№“※，月^“女#÷Ⅲ*mmdH 闯匿 ¨1*n≈十#¨mm #T￡** ＆目i*ⅨⅧ““∞∞ⅫM＆#日％R ∞#Ⅷ$目}盱i#十《mn#*％"％* ”^K*，H“ⅢmHBⅦ#¨】【_％％目-j-* 目目■日mHHR d口目*§日％m q口J 口mm F*口rjtm tmdk 2…《№≈{ dⅫ^自＆i％【Hm*，目“mm目十mg 目☆{自．U＆】§e《*mE∞1￡§” (4，【目1¨)(1t)B su 8 3*{j＆■Ⅳ∞ №％M忆md＆自＆*≈30m女．m t|n) -∞=m#*#十Kn$i＆￡5№*W mⅢ#§∞％＆目n 10m*M自镕J日H $i+目*Ⅷt№自rL女f。E*Ⅱ#mⅢm m“№“m }≈女m 【L L…lk【Ⅲ～N H”Ⅲ1 nm)，L J】【…：I*tl vPIcⅢ：d、Pmlw‘、1 andiINⅢ D__…h…J……c^md“H lm M4．】)_， 2…Ylmh…nN“洲日s^M㈣日Ⅱd“《哪“Ⅻt1『H H．¨rH_umlwlh『h M P}“…【J №*m}uuJ【1995．{】3I∽：30 L 2_301 6 [¨l州B d…J w-栅g’n目1d_【(轴m…hlh…Ⅶ“"Ⅻ％8…t-In-P…linR tkI…Mi_】E…㈧rH_S～199H．2lg 222 万方数据