L抗饱和速进系门电路 使用肖特基势垒二极管SBD作钳位形成。有比TI门高得多 的传输速度。 SBD的导通阈值电压比较低,比普通ⅨN结低02V;SBD的 电荷存储效应小 SBD使基极电流受限,三 极管不会进入深度饱和, 管内的存储电荷效应的 影响减弱,三极管开关 速度提高。1. 抗饱和逻辑门 2.4.7 改进型 STTL(74STTL 系列）门电路 使用肖特基势垒二极管SBD作钳位形成。有比TTL门高得多 的传输速度。 SBD的导通阈值电压比较低，比普通PN结低0.2V；SBD的 电荷存储效应小。 c b e c b e SBD使基极电流受限，三 极管不会进入深度饱和， 管内的存储电荷效应的 影响减弱，三极管开关 速度提高