24.6其他TTL门电路 其他逻辑功能的TTL逻辑门电路: R 个公 R 1.或非门: A Y=A+B R T R B (T的输出并联
2.4.6 其他TTL门电路 其他逻辑功能的TTL逻辑门电路: 1. 或非门： Y = A+ B T2的输出并联
2.与或非门: Y=AB+CD b T A 与非门输入 y 或非门输出 CD 太本
2. 与或非门： Y = AB+CD 与非门输入 或非门输出
3.异或门: Y=AOB A⊙B =AB+AB T AB B T AB+AB A+B=AB T
3. 异或门： AB AB A B Y A B = + = = ⊙ AB A+ B = AB AB + AB
L抗饱和速进系门电路 使用肖特基势垒二极管SBD作钳位形成。有比TI门高得多 的传输速度。 SBD的导通阈值电压比较低,比普通ⅨN结低02V;SBD的 电荷存储效应小 SBD使基极电流受限,三 极管不会进入深度饱和, 管内的存储电荷效应的 影响减弱,三极管开关 速度提高
1. 抗饱和逻辑门 2.4.7 改进型 STTL(74STTL 系列）门电路 使用肖特基势垒二极管SBD作钳位形成。有比TTL门高得多 的传输速度。 SBD的导通阈值电压比较低，比普通PN结低0.2V；SBD的 电荷存储效应小。 c b e c b e SBD使基极电流受限，三 极管不会进入深度饱和， 管内的存储电荷效应的 影响减弱，三极管开关 速度提高
全部使用抗饱和二极管 R R 900 500 2,8R AB T 250 T 原来不饱 和 本 有源泄放回路 500g R T13.5k! T2截止→导通瞬间,T5先于T6导通,T2的发射极电流全部 流入T5基极,加速了T5的转换。稳态下可以对T5基极分流, 防止T5过度饱和。T2导通→截止瞬间,对T5的基极提供低 内阻泄放回路,使T5迅速截止。 T2,T5必须同时导通。改善了输出特性,消除了线性区
全部使用抗饱和二极管 有源泄放回路 T2截止→导通瞬间，T5先于T6导通，T2的发射极电流全部 流入T5基极，加速了 T5的转换。稳态下可以对T5基极分流， 防止T5过度饱和。T2导通→截止瞬间，对T5的基极提供低 内阻泄放回路，使T5迅速截止。 T2,T5必须同时导通。改善了输出特性，消除了线性区 原来不饱 和
2.高速TTL系列(74H系列) )减小了电阻值, 2)采用了复合管结构,减少了输出电阻。 提高了速度,但是电流加大 Ci- ,功耗上升。 A R 76g 58g 2.8 A B T R R 4700 4ka
2 . 高速TTL系列(74H系列） 1）减小了电阻值， 2）采用了复合管结构，减少了输出电阻。 提高了速度，但是电流加大 ，功耗上升
3.低功耗肖基特系列(74LS系 电阻值加大,使用SBD作输火椴, 另加两个SBD,提供更多的泄放 回路,加快各管的状态转换 R R 8k21200 功耗降低,而仍有74系列 [2okn fD, tt, 的速度,延时功耗积是74 系列的1/5,74S系列的1/3 Rs 4 ks A “7D T 12k R R kal 1.5k
3. 低功耗肖基特系列（74LS系 电阻值加大，使用SBD作输入极， 列） 另加两个SBD，提供更多的泄放 回路，加快各管的状态转换 功耗降低，而仍有74系列 的速度，延时-功耗积是74 系列的1/5，74S系列的1/3
4.74AS系列和74ALS系列 74AS系列,类似于74LS系列的电路结构,但是 使用了很低的电阻值,有较高的速度但功耗大 于74S系列。 74ALS系列,增加了阻值,减少了芯片面积, 既减少了功耗又增加了速度,延时功耗积是 TTL系列最小的一种。 5.54系列及对应的改进系列 54/54IH/54S54LS等系列,电源电压范围更大,工作温度 范围更宽,其他特性与74系列相同
4. 74AS系列和74ALS系列 74AS系列，类似于74LS系列的电路结构，但是 使用了很低的电阻值，有较高的速度但功耗大 于74S系列。 74ALS系列，增加了阻值，减少了芯片面积， 既减少了功耗又增加了速度，延时-功耗积是 TTL系列最小的一种。 5. 54系列及对应的改进系列 54/54H/54S/54LS等系列，电源电压范围更大，工作温度 范围更宽，其他特性与74系列相同
2.5其他门电路 2.5.1射极耦合逻辑门电路(ECL)——工作速度高, 带负载能力强,噪声低;但功耗大、制 造工艺要求高、抗干扰能力差; 电流炸美 基准电压Vcl Ral i.?n 245 2200 Y=A+B+C+D 长 Y Y=A+B十C+D 6.k 4.98k盒 射极输出 5.2v
2.5 其他门电路 2.5.1 射极耦合逻辑门电路（ECL）——工作速度高， 带负载能力强，噪声低；但功耗大、制 造工艺要求高、抗干扰能力差；
