第三章3.3MOS管电流源 3.31耗尽型单管电流源(或结型)(续) 自生偏压型 耗尽型、R的大小 结型 调节ID d、的 R R+(-8n es)ras R R R+1 8m( 静态:D≈ K w 大 s or) 风2=R+Q+gnR)=(+gRy 第三章3.3MOS管电流源 332MOs基本电流源R2 T1、T2工作在饱和区 参数对称 Ⅴcs、相等 n,=l H VasI-Vasaw (1+\,VD 1m=0=H1(a-1+m)□ Oe,/L2(1+ pz2 (W,/L)(+AV 63 5 清华大学电子工程系李冬梅 z 自生偏压型 ID R (a) + _ V gs . gmV gs . I . I . V . R + _ rds (b) ( ) ( ) GS D GS GS off P D V RI V V L K W I = − ≈ − 2 2 静态: 耗尽型、 结型 耗尽型、 结型 R的大小 调节ID R的大小 调节ID ( ) ( ) O m ds m ds R = R + 1+ g R r ≈ 1+ g R r 大大!! 第三章-3.3 MOS管电流源 3.3.1 耗尽型单管电流源(或结型)（续） I IR I g V r I V R m gs ds O & & & & & & + ( − ) = = ds m gs r I g V R ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ − = + + & & ( ) 1 6 清华大学电子工程系李冬梅 3.3.2 MOS基本电流源 IR T1 T2 R r I0 ( ) ( ) ( ) 1 1 2 1 1 1 1 1 1 2 GS GS th DS p D R V V V L k W I = I = ⋅ − +λ ( ) ( ) ( ) 2 2 2 2 2 2 2 2 1 2 GS GS th DS p D O V V V L k W I = I = ⋅ − +λ ( ) ( ) 1 1 1 2 2 2 ( / ) 1 ( / ) 1 DS DS R O W L V W L V I I λ λ + + = T1、T2工作在饱和区 „ 参数对称： VGS(th)、λ相等 第三章-3.3 MOS管电流源