第三章3.3MOS管电流源 R ·忽略沟道长度调制效 应,且w2L2 则:I=l-镜像电流源 W2/L2≠W1/L1 则 (W2/L2) (H: /L 1+ Aym) (W1/L1) 比例电流源 ≠0,V v+v DS2 1+V d s 2 则 + 已的产生:R有源负载 (1+ANsi 电流微小差别 第三章-3.3MOS管电流源 333威尔逊电流源 条件:gm2>g, 8ml-gm2-8 大 orgmrldslre T1上串接T4 使 消除沟道长度调 制效应4 7 清华大学电子工程系李冬梅 第三章-3.3 MOS管电流源 IR T1 T2 Rr I0 ( ) ( ) 1 1 1 2 2 2 ( / ) 1 ( / ) 1 DS DS R O W L V W L V I I λ λ + + = • 忽略沟道长度调制效 应，且W2/L2=W1/L1 则：IO=IR----镜像电流源 • 忽略沟道长度调制效 应，且W2/L2=W1/L1 则：IO=IR----镜像电流源 • W2/L2 ≠ W1/L1 则： ----比例电流源 • W2/L2 ≠ W1/L1 则： ----比例电流源 O R I W L W L I ( / ) ( / ) 1 1 2 2 = • λ ≠ 0，VDS1 ≠ VDS2 则： ----电流微小差别 • λ ≠ 0，VDS1 ≠ VDS2 则： ----电流微小差别 R DS DS O I V λV I (1 ) (1 ) 1 2 +λ + = 2 2 2 2 2 1 D DS D A DS O ds λI λV I V V R r + = + = = •IR的产生：Rr •IR的产生：Rr---- ----有源负载 有源负载 8 清华大学电子工程系李冬梅 3.3.3 威尔逊电流源 T1 T2 T3 I I 0 R RO≈ gm1rds1rds3 条件：gm2 >> gds2, gm1rds1 >> 1, gm1 = gm2 = gm3 大！大！ T1上串接T4， 使VDS1=VDS2， 消除沟道长度调 制效应！ T1上串接T4， 使VDS1=VDS2， 消除沟道长度调 制效应！ 第三章-3.3 MOS管电流源 G3 D3 S3 G1, G2 D2 S1, S2 Vgs3 Vgs1 Vds1 Vds2 Vds3 gm1Vgs1 gm3Vgs3 gmb3Vbs3 rds2 rds1 rds3 1/gm2 V D1