结果进行分析和解释的能力。 五、考核及成绩评定 1、考核及成绩评定方式 考核方式：闭卷笔试，平时成绩（课堂表现及作业），实验 成绩评定方式：期末成绩45%，期中成绩30%，平时成绩10%，实验成绩15% 课程目标达成情况及考试成绩评定占比(%) 课程教学 支撑毕业要求 考试和评价方式成绩占比(%) 成绩比 目标 平时成绩 实验成绩 期中考试 期末考试 例(%) 教学目标1 毕业要求1.3 2 5 5 12 教学目标2 毕业要求13 2 15 10 27 教学目标3 毕业要求2.3 2 10 15 27 教学目标4 毕业要求2.3 2 15 17 教学目标5 毕业要求4.1 2 15 17 合计 10 15 30 45 100 2、 考核与评价标准 实验成绩评价标准： 基本要求 评价标准 成绩比 优秀 良好 合格 不合格 例(%) 能够清晰 能够清晰 能够描 不理解 表达MOS CV 述MOS CV 表达MOS CV 特性和方块电 特性和方块 MOS CV 熟悉方块 特性和方块电 阻的测试原 电阻和电 阻的测试原理： 电阻的测试 特性和方 块电阻的 阻率之间 实验报告撰写 理：实验报告 原理：实验报 测试原 的关系： 撰写规范，内 告撰写尚规 规范，内容完 理：没有 容比较完整： 范，内容基本 熟悉MOS 整，条理清晰： 交实验报 40 自己努力完 完整：自己努 的CV特 自己努力完成， 告：或者 成，没有抄袭。 力完成，没有 性（支撑 没有抄袭：有核 基本上是 毕业要求 有核心问题的 抄袭。核心问 心问题的心得 抄袭：或 4-1) 体会、有自己的 心得体会，但 题的心得体 自己的个人见 会较少，无创 者内容太 个人见解和想 空泛，太 解和想法较 意和个人想 法。 简单。 少。 法。 能够根据 能够基于 能够基于 提取器 不能 实验测试 半导体物理知 半导体物理知 件参数个别 能提取器 结果提取 识和测量结果， 识和测量结 错误：实验结 件参数： 器件参 准确提取器件 果，提取器件 果画图比较 实验结果 60 数，分析 参数：实验结果 参数：实验结 标准：实验结 画图粗 实验现 画图标准：实验 果画图比较标 果分析比较 糙：无实 象，得出 结果分析合理， 准：实验结果 合理，能得出 验结果分 合理结论 结论正确。 分析比较合 结论。 析和结结果进行分析和解释的能力。 五、考核及成绩评定 1、考核及成绩评定方式 考核方式：闭卷笔试，平时成绩（课堂表现及作业），实验 成绩评定方式：期末成绩 45%，期中成绩 30%，平时成绩 10%，实验成绩 15% 课程目标达成情况及考试成绩评定占比（%） 课程教学 目标 支撑毕业要求 考试和评价方式成绩占比（%） 成绩比 平时成绩 实验成绩 期中考试 期末考试 例（%） 教学目标 1 毕业要求 1.3 2 5 5 12 教学目标 2 毕业要求 1.3 2 15 10 27 教学目标 3 毕业要求 2.3 2 10 15 27 教学目标 4 毕业要求 2.3 2 15 17 教学目标 5 毕业要求 4.1 2 15 17 合计 10 15 30 45 100 2、考核与评价标准 实验成绩评价标准： 基本要求 评价标准 成绩比 优秀 良好 合格 不合格 例（%） 熟悉方块 电阻和电 阻率之间 的关系； 熟悉 MOS 的 CV 特 性（支撑 毕业要求 4-1） 能够清晰 表达 MOS CV 特性和方块电 阻的测试原理； 实验报告撰写 规范，内容完 整，条理清晰； 自己努力完成， 没有抄袭；有核 心问题的心得 体会、有自己的 个人见解和想 法。 能够清晰 表达 MOS CV 特性和方块电 阻的测试原 理；实验报告 撰写规范，内 容比较完整； 自己努力完 成，没有抄袭。 有核心问题的 心得体会，但 自己的个人见 解和想法较 少。 能够描 述 MOS CV 特 性 和方 块 电 阻 的测 试 原理；实验报 告 撰 写尚 规 范，内容基本 完整；自己努 力完成，没有 抄袭。核心问 题 的 心得 体 会较少，无创 意 和 个人 想 法。 不 理 解 MOS CV 特性和方 块电阻的 测试原 理；没有 交实验报 告；或者 基本上是 抄袭；或 者内容太 空泛，太 简单。 40 能够根据 实验测试 结果提取 器件参 数，分析 实验现 象，得出 合理结论 能够基于 半导体物理知 识和测量结果， 准确提取器件 参数；实验结果 画图标准；实验 结果分析合理， 结论正确。 能够基于 半导体物理知 识和测量结 果，提取器件 参数；实验结 果画图比较标 准；实验结果 分析比较合 提取器 件 参 数个 别 错误；实验结 果 画 图比 较 标准；实验结 果 分 析比 较 合理，能得出 结论。 不 能 能提取器 件参数； 实验结果 画图粗 糙；无实 验结果分 析和结 60