第十章M0s结构（支撑课程目标4） 课时：2周，共6课时 教学内容 第一节MOS结构 与平行板电容的比较 第二节能带图 一、半导体表面的状态 多子堆积，多子耗尽，少子反型 二、MOS结构的能带图★△ 空间电荷区宽度、平带电压、阈值电压 第三节CV特性 一、理想MOS结构的电容-电压特性★ 二、氧化层电荷及界面态的影响△ 思考题： 1、画出硅表面多子堆积，多子耗尽，少子反型时的能带状态。 2、实际硅-二氧化硅系统的C-V特性。 第十一章实验（支撑课程目标5） 课时：3周，共9课时 第一节显微镜测量MOS尺寸 第二节四探针法测量方块电阻 第三节MOS CV特性测量 四、教学方法 授课方式：ā理论课（讲授核心内容、总结、按顺序提示今后内容、答疑、公布习题和 课外拓展学习等)：b.课后练习（按照理论内容进行）：c.实验环节（根据理论课教学内容， 要求学生学会简单操作、四探针仪以及探针台并完成实验任务)：d.办公室时间（每周安排 固定的办公室时间，学生无需预约，可来教师办公室就课程内、外内容进行讨论)：e.答疑 (全部理论课程和实验课程完成后安排1~2次集中答疑，答疑时间不包括在课程学时内， 答疑内容包括讲授内容、习题、实验等)：期中和期末闭卷考试。 课程要求：a理论课：在理论课讲授环节中，应注意概念讲清讲透，并贯彻理论联系实 际的原则，注意学生逻辑思维能力、工程观点和分析与解决问题能力的培养。根据本课程的 特点，必须严格要求学生独立完成一定数量的习题；b.实验环节：要求学生学会简单操作、 四探针仪以及探针台，正确地读取和记录实验数据、绘制图表，培养学生良好的实验习惯， 树立实事求是和严肃认真的科学作风，根据实验数据和实验结果撰写实验报告，具有对实验第十章 MOS 结构 （支撑课程目标 4） 课时：2 周，共 6 课时 教学内容 第一节 MOS 结构 与平行板电容的比较 第二节 能带图 一、半导体表面的状态 多子堆积，多子耗尽，少子反型 二、MOS 结构的能带图 空间电荷区宽度、平带电压、阈值电压 第三节 CV 特性 一、理想 MOS 结构的电容-电压特性 二、氧化层电荷及界面态的影响 思考题： 1、画出硅表面多子堆积，多子耗尽，少子反型时的能带状态。 2、实际硅-二氧化硅系统的 C-V 特性。 第十一章 实验 （支撑课程目标 5） 课时：3周，共9课时 第一节 显微镜测量MOS尺寸 第二节 四探针法测量方块电阻 第三节 MOS CV特性测量 四、教学方法 授课方式：a.理论课（讲授核心内容、总结、按顺序提示今后内容、答疑、公布习题和 课外拓展学习等）；b.课后练习（按照理论内容进行）；c.实验环节（根据理论课教学内容， 要求学生学会简单操作、四探针仪以及探针台并完成实验任务）；d.办公室时间（每周安排 固定的办公室时间，学生无需预约，可来教师办公室就课程内、外内容进行讨论）；e.答疑 （全部理论课程和实验课程完成后安排 1～2 次集中答疑，答疑时间不包括在课程学时内， 答疑内容包括讲授内容、习题、实验等）；f.期中和期末闭卷考试。 课程要求：a.理论课：在理论课讲授环节中，应注意概念讲清讲透，并贯彻理论联系实 际的原则，注意学生逻辑思维能力、工程观点和分析与解决问题能力的培养。根据本课程的 特点，必须严格要求学生独立完成一定数量的习题；b.实验环节：要求学生学会简单操作、 四探针仪以及探针台，正确地读取和记录实验数据、绘制图表，培养学生良好的实验习惯， 树立实事求是和严肃认真的科学作风，根据实验数据和实验结果撰写实验报告，具有对实验