第二章带隙基准的基本原理与结构 2.3本论文中采用的两种结构 vcc M1 2 M M2 CE Vre R19 图2.4 Banba结构带隙基准 图2.5 Leung结构带隙基准 从这两张图中可以明显地看出两个电路在带隙部分的区别，图2.5将电阻的分压接到放 大器的输入端，而图2.4没有采用分压：另外两个电路的放大器部分也有所不同，图2.5的 放大器采用了低电压设计，具体的结构将在之后的两章中分析。图2.4是Hironori Banba等 在1999年发表于JSSC上的，以下都简称Banba结构；图2.5是Ka Nang Leung等在Banba 结构上作了一定的改进，降低了可工作的最低电源电压，于2002年发表于JS$C,以下都 简称Leung结构。 2.4最新研究成果 以上两种电路可以得到的输出电压与温度的关系一般是开口向上的抛物线或开口向下 的抛物线，这样就很容易想到如果再叠加一定的曲线，那么就可以进一步消除输出电压的 温度效应，使电压更加稳定。 这种思想早在1983年B.S.Song和P.R.Gray就提出了)，之后诞生了很多根据不同曲线 结合，或应用不同工艺来制造的新的基准源电路，也是很有发展潜质的一个方法。其中， 2003年Leung利用了与温度有关的电阻比，一个用高阻多晶电阻，另一个用扩散电阻，这 样通过这两个电阻上的压降与VE相加，就可以VE消除VE温度系数的非线性性。 在2006年，Ming-Dou Ker等还利用此方法提出一个低于IV的结构，他的基本思想是用寄 生的n-p-n和p-n-p三极管来产生与温度有关的电流，再利用这个电流来消除Vs的温度效 应，从而得到对温度敏感度更小的输出参考电压。第二章 带隙基准的基本原理与结构 5 2.3 本论文中采用的两种结构 图 2.4 Banba 结构带隙基准 图 2.5 Leung 结构带隙基准 从这两张图中可以明显地看出两个电路在带隙部分的区别，图 2.5 将电阻的分压接到放 大器的输入端，而图 2.4 没有采用分压；另外两个电路的放大器部分也有所不同，图 2.5 的 放大器采用了低电压设计，具体的结构将在之后的两章中分析。图 2.4 是 Hironori Banba 等 在 1999 年发表于 JSSC 上的，以下都简称 Banba 结构；图 2.5 是 Ka Nang Leung 等在 Banba 结构上作了一定的改进，降低了可工作的最低电源电压，于 2002 年发表于 JSSC，以下都 简称 Leung 结构。 2.4 最新研究成果 以上两种电路可以得到的输出电压与温度的关系一般是开口向上的抛物线或开口向下 的抛物线，这样就很容易想到如果再叠加一定的曲线，那么就可以进一步消除输出电压的 温度效应，使电压更加稳定。 这种思想早在 1983 年 B.S.Song 和 P.R.Gray 就提出了[5]，之后诞生了很多根据不同曲线 结合，或应用不同工艺来制造的新的基准源电路，也是很有发展潜质的一个方法。其中， 2003 年 Leung 利用了与温度有关的电阻比，一个用高阻多晶电阻，另一个用扩散电阻，这 样通过这两个电阻上的压降与VBE 相加，就可以VBE 消除VBE 温度系数的非线性性[6]。 在 2006 年，Ming-Dou Ker 等还利用此方法提出一个低于 1V 的结构，他的基本思想是用寄 生的 n-p-n 和 p-n-p 三极管来产生与温度有关的电流，再利用这个电流来消除VBE 的温度效 应，从而得到对温度敏感度更小的输出参考电压[7]