1.2PN结与晶体二极管 在同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导 体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了NN结。 121PN结的动态平衡过程和接触电位差 P型区到N型区的过渡带两边的自由电子和空穴浓度相差很 大,在浓度差下形成扩散运动,P区的空穴(多子)向N区扩散, N区的自由电子(多子)向P区扩散,在过渡区域产生强烈的复 合作用使自由电子和空穴基本消失,在过渡带中产生一个空间 电荷区(耗尽区),扩散运动使过渡带内失去了电中性,产生 电位差和电场,分别称为接触电位差和内建电场,内建电场由N 区指向P区阻碍多子的扩散运动,却促进过渡带中少子的漂移运 动,漂移运动中和过渡区中的电荷从而削弱内建电场,随着扩1.2 PN结与晶体二极管 在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导 体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 1.2.1 PN结的动态平衡过程和接触电位差 P型区到N型区的过渡带两边的自由电子和空穴浓度相差很 大，在浓度差下形成扩散运动，P区的空穴（多子）向N区扩散， N区的自由电子（多子）向P区扩散，在过渡区域产生强烈的复 合作用使自由电子和空穴基本消失，在过渡带中产生一个空间 电荷区（耗尽区），扩散运动使过渡带内失去了电中性，产生 电位差和电场，分别称为接触电位差和内建电场，内建电场由N 区指向P区阻碍多子的扩散运动，却促进过渡带中少子的漂移运 动，漂移运动中和过渡区中的电荷从而削弱内建电场，随着扩