散运动和漂移运动的进行,最后达到一个平衡状态,即内建电 场的强度恰好使扩散运动和漂移运动的速度相等,这种平衡称 为动态平衡,这时过渡带中的接触电位差,内建电场强度,空 间电荷区宽度均处于稳定值,这时我们认为PN结已经形成,并 把P、N的过渡带称为PN结,PN结的宽度为空间电荷区的宽度。 PN结的接触电位差: Vo=V In -P=Vhn T=300K时,锗的V。≈02-0.3V,硅的v0.6~0.8V散运动和漂移运动的进行，最后达到一个平衡状态，即内建电 场的强度恰好使扩散运动和漂移运动的速度相等，这种平衡称 为动态平衡，这时过渡带中的接触电位差，内建电场强度，空 间电荷区宽度均处于稳定值，这时我们认为PN结已经形成，并 把P、N的过渡带称为PN结，PN结的宽度为空间电荷区的宽度。 PN结的接触电位差： p n T n p T n n V p p Vφ =V ln = ln 2 2 ln ln i D A T i p n T n N N V n p n Vφ =V  T=300K 时，锗的Vφ ≈0.2~0.3V，硅的Vφ ≈0.6~0.8V