§7-2-3 EPROM 、雪崩注入MoS管( FAMOS)构成的 EA的O结构图 注入: 浮置特广DSOD在漏极和源极间加高反压,漏极与衬底间的PN 结击穿,其耗尽层的电子在强磁场中高速射出 P 部分被浮置栅浮获,此部分负电荷在DS间负 电压去除后无放电回路,得以保存 擦除: 用紫外线或X射线照射 FAMOS管,使SiO2层中 产生电子空穴对,为浮置栅的负电荷提供放电 通道。 V FAMOS构成的存储单元 字线 FAMOS 位§7-2-3 EPROM 一、雪崩注入MOS管（FAMOS）构成的 EFROM FAMOS结构图 注入： 在漏极和源极间加高反压，漏极与衬底间的PN 结击穿，其耗尽层的电子在强磁场中高速射出， 一部分被浮置栅浮获，此部分负电荷在DS间负 电压去除后无放电回路，得以保存。 擦除： 用紫外线或X射线照射FAMOS管，使SiO2层中 产生电子空穴对，为浮置栅的负电荷提供放电 通道。 FAMOS构成的存储单元