二、叠栅MoS管( SIMOS)构成的 EPROM SIMOS结构图 N沟道增强型MOS管 在控制栅G。上加正常高电平时,能在漏-源闫构 成导电通道,使 SIMOS导通 在漏-源间加高电压,使雪崩击穿,同时在Ge上 加高压正脉冲,则在栅极电场作用下,一部分 穿过siO2到达浮置栅,形成注入电荷。 D SiO, 电荷注入后,需要在G上加更高压才能形 成导电沟道V提高 匚注入电荷前 匚注入电荷后二、叠栅MOS管（SIMOS）构成的EPROM SIMOS结构图 N沟道增强型MOS管 在控制栅Ge上加正常高电平时，能在漏-源间构 成导电通道，使SIMOS导通 电荷注入后，需要在Ge上加更高压才能形 成导电沟道——VTH提高 在漏-源间加高电压，使雪崩击穿，同时在Ge上 加高压正脉冲，则在栅极电场作用下，一部分 穿过SiO2到达浮置栅，形成注入电荷。 VGS iD VTH 注入电荷前 注入电荷后