在BZ区边界士/a,两个能量解： 一个比自由电子的KE低U 另一个比自由电子的KE.高U +在BZ区边界士/a处形成一个能量隙2U 和 2二 U 2 驻波，与前面的讨论一致 靠近BZ区边界 (0-e)Ck+UCk-6=0 C0和C4 Ak-8 U=0 AkG-E)Ck-G+UCk=0 G70 U入k-6-e 在入=h2k22m e2-(2k+k-Ge+(k-G-U2)=0 两个解： 25 25 在BZ 区 边界 ±π/a,两个能量解 : 一个比自由 电子的 KE低 U 另一个比自由 电子的 KE.高U 在BZ 区 边界 ±π/a处形成一个能量隙 2U 1 U λ ε C C 2 G 2 G 1 1 = ± − = − − 和    ± −   = x 2G x exp i 2G ψ(x) exp i 1 1 驻 波,与前面的讨论一致 靠近BZ区 边界 ( ) ( ) λ ε C UC 0 λ ε C UC 0 -k G k G k k k k G − + = − + = − − 在 λk ≡ h2k2/2m 0 U λ ε λ ε Uk G k = − − − Ck≠0 和 Ck- G≠0 ε ( λ λ )ε ( λ λ U ) 0 2 k k G k k G 2 − + − + − − = ( ) ( ) 2 2 k k G k k G U 4 λ λ λ λ 21 ε + − = + ± − 两个解 − :