F 相对 有效质量 半导体 禁带宽度E(m2/V·s)能带 e 介电 300K 结构 常数 300K0K电子空穴 电子(mm0)空穴(m4/m) GaP 2.242.400.030.015Sn/m。=0.25m/mo=0.13 1.7|mM/mo=0.55 nSb 0.170.248.00.045GaAs 0,014 m/m。=0.016 m/m。=0.32/18.7 Ⅲ-V Inas 0.35|0.443.30.045GaAs 0.024 m/mo=O.026 m6/m0=0.41 InP 1.351.4210.450.015GaAs 0.081 m!m=0.12 14 m4/m0=0.58 (纤维锌矿型)/2.41|2.580.0355 GaAs 0.17 10 0.6 10 -Ⅵ Cdso 1.741.840.065 GaAs 0.11 0.45 10 Zno 3440.018 GaAs 0.24 1.8 9 Zns 3.543.830.016 GaAs Pbs 0.37]0.290.060.062 m/mo=0.105m/mo=0.105 m/m=0.080m/mo=0.075/170 Ⅳ-Ⅵ PbTc 0.300.190.170.088 m/mo=0.236mw/mo=0.381 ml/mo=0.024|mm/mo=0.031/400