衰9.2.1重的半导体的性质 迁移率μ 禁带宽度E(m2/V·s)「能带 相对 有效质量 半导体 (ev) 介电 300K 结构 常数 300K0K电子空穴 电子(m,/m)空穴(m,/m) (金刚石) 5.475.510.180.16|Si 0.2 0.25 5.5 0.670.740.380.18|Ge n/m=1.6|ma/m=0.043 me/mo 0.082mh/m=0.32/16.3 1.111.160.145|0.05 Si ma/mo =0. 92 my/mo=0.15 mn/m=0.19mw/mo=0.511.8 0.4130.200.10 GaAs 0,024 0.26 Ⅳ-Ⅳ Sic 3.10.045×10-3Si 0.6 l.0 10 AlSb 1.631.750.090.042GBAs 0.39 0.4 10.3 BN(闪锌矿型)7.5 BP 0.03 6.9 GaN 3.5 0.015 0.19 0.6 0.670.810.4 0.14 GaAs 0.047 m/m=0.05 11.7 mA/m0=0.31 GaA: 1.351.530.850.04GaAs md/m=0.12 0.067 12.9 mM/m=0.71