6.3阳结电容 64阳站击穿 5p阳结道效应 1金半导体接触及其能领图 第七章 1,2金园半导体接触整流理论 7.3少数载流子的注入和做姆接触 81表而态 82表而电场效应 第八 8.3$结构的C-特性 84位一二氧化硅系统的性质 85表面电导及迁移率 9.105FET结构和分类 9,2SET的工作原理 第九章 9,3电流电压关系 4值电压影因素 10.1率导体的光暖收 10.2m结的光生伏特效应 第十 10,3太阳能电池的电流电压特性 10.4半导体发光 10.5电政发光二极管 五、教学进度 表3：教学进度表（五号宋体） 周次 日期 章节名称 内容提要 授课时数 作业及要求 第一半导体中的电子 行中电子销运 香结构 Si. Ge中的杂能 3 第二章半导体中杂质能 复习学习内客，光成 级和缺陷能级 氯化像、氯化铝、碳化 布置后习题 中的杂质能领。缺暗。 位错能 第三章半导体中载流子的 状方密度，费米能级和 复习学习内容，完成 统计分布 流子的经计分，实际半 布置误后习愿 导体中的载流子统计分 布，本征半导体的载流了 浓度。一般情况下的载6.3 pn结电容  6.4 pn结击穿 6.5 pn结隧道效应 第七章  7.1 金属半导体接触及其能级图  7.2 金属半导体接触整流理论 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触  6 第八章  8.1 表面态  8.2 表面电场效应  8.3 MIS结构的C-V特性  8.4 硅—二氧化硅系统的性质 8.5 表面电导及迁移率  8 第九章  9.1 MOSFET结构和分类  9.2 MOSFET的工作原理  9.3 电流电压关系 9.4阈值电压影响因素  6 第十章  10.1 半导体的光吸收  10.2 pn结的光生伏特效应  10.3 太阳能电池的电流电压特性  10.4 半导体发光 10.5 电致发光二极管  8 五、教学进度 表3：教学进度表（五号宋体） 周次 日期 章节名称 内容提要 授课时数 作业及要求 备注  1-2 第一章 半导体中的电子 状态 半导体中电子的运动 有 效质量，本征半导体的导 电机构空穴，半导体的能 带结构    8 复习学习内容，完成 布置课后习题  3 第二章 半导体中杂质能 级和缺陷能级  Si、 Ge中的杂质能 级，Ⅲ、Ⅴ族化合物中的 杂质能级， 氮化镓、氮化铝、碳化硅 中的杂质能级， 缺陷、 位错能  4 复习学习内容，完成 布置课后习题  4-5 第三章半导体中载流子的 统计分布 状态密度，费米能级和载 流子的统计分布，实际半 导体中的载流子统计分 布，本征半导体的载流子 浓度， 一般情况下的载  8 复习学习内容，完成 布置课后习题