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苏州大学:能源学院《半导体物理与器件》课程教学大纲

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《半导体物理与器件》课程教学大纲 一、课程基本信息〈四号黑体) 英文名称 Seaiconductor Physics and Devices 课程代码 课程性质 专业必修课程 授课对象 新能源材料与器件专业三年级 学 分 主讲教师 发艳辉 像订日期 指定教材《华导体物理学),(第七版),刘恩利等编著,电子工业出版社 二、课程目标 (一)总体目标:(小四号黑体) (二)课程目标:(小四号黑体) 课程目标1:知识目标 1.1印解半导体基本性质和基本原理 1.2理解典型半导体器件的基本结构和工作原理,了解半导体器件独特的性质及应用 课程目标2:能力与素养目标 2.1培养学生认识到半导体理论在现代科学所究领城的重要性,最发他们的学习兴趣,培养具有国际化的专业视野。 2.养具有辩证思能力处理复杂矛盾关系,善于抓住主要唇,化繁就简的能力 23培养学生运用物理学基本原理分析复余系统的能力,培养他们建立物理图像的能力 和解决交叉学科领城的能力。 (三)课程目标与毕业要求、课程内容的对应关系(小四号黑体) 表1:课程目标与课程内容、毕业婴求的对应关系表《五号宋体) 课程目标 误程子目标 对应课程内容 对应毕业要求 1.1 半导体物理学基瑞知识 理解半导体物现学基础知识 课程目标1 1.2 典型的半导体物理器件 掌握奥型的率导体器件的基本结构、独特性 质及工作原理 21 建立半导体物理知识与实际应用的联系 具有国际化的专业视野 具有辩证思维处理复杂矛盾关系,善于抓住 22 课程目标税 主受矛后,化繁就简的能力, 23 分析结内建电场的形成过程以及N结的独特性 具有由物理学基本原理分析复杂系统的能 力。具有建立物理图像的能力和解决交义学 ,和典型半导体器件的工作原理 科领妮的能力

《半导体物理与器件》课程教学大纲 一、课程基本信息(四号黑体) 英文名称 Semiconductor Physics and Devices 课程代码 课程性质 专业必修课程 授课对象 新能源材料与器件专业三年级 学 分 4 学 时 72 主讲教师 娄艳辉 修订日期 指定教材 《半导体物理学》,(第七版),刘恩科等编著,电子工业出版社 二、课程目标 (一)总体目标:(小四号黑体) 通过本课程的学习,培养学生理解半导体物理的基础知识,掌握典型半导体器件的结构与工作原理,了解半导体以及半导体物理与器件在现代科技中的 重要意义。培养学生掌握半导体科学的研究方法和前沿进展,锻炼科学思维和科研创新能力。激励他们勇于在物理前沿及交叉学科领域探索与创新。 (二)课程目标:(小四号黑体) 课程目标1:知识目标  1.1理解半导体基本性质和基本原理  1.2理解典型半导体器件的基本结构和工作原理,了解半导体器件独特的性质及应用 课程目标2:能力与素养目标  2.1 培养学生认识到半导体理论在现代科学研究领域的重要性,激发他们的学习兴趣,培养具有国际化的专业视野。 2.2培养具有辩证思维能力,处理复杂矛盾关系,善于抓住主要矛盾,化繁就简的能力  2.3 培养学生运用物理学基本原理分析复杂系统的能力,培养他们建立物理图像的能力 和解决交叉学科领域的能力。 (三)课程目标与毕业要求、课程内容的对应关系(小四号黑体) 表1:课程目标与课程内容、毕业要求的对应关系表 (五号宋体) 课程目标 课程子目标 对应课程内容 对应毕业要求 课程目标1 1.1 半导体物理学基础知识 理解半导体物理学基础知识 1.2 典型的半导体物理器件 掌握典型的半导体器件的基本结构、独特性 质及工作原理 课程目标2 2.1 建立半导体物理知识与实际应用的联系 具有国际化的专业视野 2.2 杂质半导体的载流子浓度在高温区略去本征激发, 简化运算;引入理想PN结模型 具有辩证思维处理复杂矛盾关系,善于抓住 主要矛盾,化繁就简的能力。 2.3 分析PN结内建电场的形成过程以及PN结的独特性 质,和典型半导体器件的工作原理 具有由物理学基本原理分析复杂系统的能 力。具有建立物理图像的能力和解决交叉学 科领域的能力

三、教学内容 第一章半导体中的电子状态 教学日标(五号宋体) 要求学生能够苹报几种常见半导体的品格结枸和结合性质,理解半导体中的电子状态及能带(得带、价面、禁带及禁带宽度),学摆有效质量,本征半 导体的导电机制,空穴的念,掌程储,硅的能带结构, 教学重难点 教学重点:能带结构特征,有效质量 教学难点:有效质量 彩的合生,李9中电子老经.卡行中电子.本E手号9两.手得 教学方法 集中授课,课堂月管 .教学评价 作业、误家问答 第二章半导体中杂质和缺陷能级 1.教学目标 理解杂质的性质及作用,理解浅能级和深能级杂质以及杂质能级,学提浅能级杂质电离能的计算:理解杂质的补偿作用,以及型和型半导体的概念。 了解等电子陷刚以及两性条质的概念,以及块路、位错能级的特点和作用 2.教学重难点 教学重点:杂质的分类,杂质能级的概急 教学难点:杂质能缓的概念 数学内容 硅、储品体中的杂质能级。-V化合物中的质能,缺、位情能级。 教学方法 集中授课,课堂提问 5.教学评价 作业、误堂何答 第三章半导体中载流子的统计分布 1.教学目标 2.数学重难点 教学重点:态密度的概念、兼并与非兼并系统。热平衡载流子的浓度。 教学难点:杂质半导体的载演子浓度 3。教学内容 状态密度,费米能级和载流子的统计分布,实际半导体中的载流子统计分布。 4.教学方法 课蒙讲授、课常讨论与提问 5,教学评价 作业、误堂问答 第四章半导体的导电性

三、教学内容 第一章 半导体中的电子状态 教学目标 (五号宋体) 要求学生能够掌握几种常见半导体的晶格结构和结合性质,理解半导体中的电子状态及能带(导带、价带、禁带及禁带宽度),掌握有效质量,本征半 导体的导电机制,空穴的概念,掌握锗,硅的能带结构。 教学重难点 教学重点:能带结构特征,有效质量 教学难点:有效质量 教学内容 半导体的晶格结构和结合性质,半导体中的电子状态和能带,半导体中电子的运动,本征半导体的导电机构,半导体的能带结构。 教学方法 集中授课,课堂问答 5.教学评价 作业、课堂问答 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 1.教学目标 理解杂质的性质及作用,理解浅能级和深能级杂质以及杂质能级,掌握浅能级杂质电离能的计算;理解杂质的补偿作用,以及n型和p型半导体的概念。 了解等电子陷阱以及两性杂质的概念,以及缺陷、位错能级的特点和作用 2.教学重难点 教学重点:杂质的分类,杂质能级的概念 教学难点:杂质能级的概念 教学内容 硅、锗晶体中的杂质能级,III-V化合物中的杂质能级,缺陷、位错能级。 教学方法 集中授课,课堂提问 5.教学评价 作业、课堂问答 第三章半导体中载流子的统计分布 1.教学目标 掌握状态密度,费米分布和玻尔兹曼分布函数及物理意义,掌握本征半导体和杂质半导体的费米能级位置以及载流子浓度的计算;理解非简并半导体和简并 半导体的概念以及简并条件。 2. 教学重难点 教学重点:态密度的概念、兼并与非兼并系统,热平衡载流子的浓度。 教学难点:杂质半导体的载流子浓度 3. 教学内容 状态密度,费米能级和载流子的统计分布,实际半导体中的载流子统计分布。 4.教学方法 课堂讲授、课堂讨论与提问 5.教学评价 作业、课堂问答 第四章 半导体的导电性

1.教学日标 李损载流子迁移率,电导率的瓶念以及两者之间关系,载流子散射机理,以及散射几率与杂质浓度和温度的关系。迁移率和电阻率与杂质浓度和温 度的关系了解强电场效应。 2.教学原难点 教学重点:载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系 教学难点:载流子的散射 3.教学内容 载流子的漂移运动与迁移率,载流子的歌射,迁移率与杂质浓度和湿度的关系,电阻率与杂圆浓度和温度的关系。强电场下的输运。 4。教学方法 课堂讲投,课堂提问、课堂讨论 集中授误 5.教学评价 作业、谋堂同答 第五章非平衡载流子 教学用标 章握平衡较流子的产生与复合,者平衡载流子寿命,准费米能级。苹报复合机构和复合理论,陷研效应。理解载流子的扩散运动和漂移运动,理解并能 够应用电流密度方程和连续性方程。 2教学限难点 教学重点:書平衡载流子的概念,准费米能级,春平衡载流子的复合,载流子的扩敢运动 教学难点:非平衡载流子的复合,我流子的扩散运动 3教学内容 非平衡载流子的注入,非平衡载流子的复合、寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩服运动,连续性方程。 4.教学方法 课堂讲授,课堂提、课堂讨论 5教学浮价 作业、误章问答 第六章Pn结 1.教学目标 PN结的能带结构、空间电荷区以及接触电势差的计算:家炭I一-特性以及结电容的计算:理解结的击穿机制和隧道效应。 2,教学重难点 教学重点:P四结能雷图。理想P结模型及其电流-电压方程 教学难点:理想结电压-电流方程的推号 3教学内容 Pm结及其能带围,m结电流-电压特性,P阳结电客,阳结击穿特性。p隧道效应。 4.教学方法 课堂讲授,课堂提日、课空讨论 5.教学评价 作业、课堂问答 第七章金属和半导体的接触 1.教学目标

1.教学目标 掌握载流子迁移率,电导率的概念以及两者之间关系,掌握载流子散射机理,以及散射几率与杂质浓度和温度的关系。掌握迁移率和电阻率与杂质浓度和温 度的关系。了解强电场效应。 2. 教学重难点 教学重点:载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系 教学难点:载流子的散射 3. 教学内容 载流子的漂移运动与迁移率,载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率与杂质浓度和温度的关系,强电场下的输运。 4. 教学方法 课堂讲授,课堂提问、课堂讨论 集中授课 5.教学评价 作业、课堂问答 第五章非平衡载流子 教学目标 掌握非平衡载流子的产生与复合,非平衡载流子寿命,准费米能级。掌握复合机构和复合理论,陷阱效应。 理解载流子的扩散运动和漂移运动,理解并能 够应用电流密度方程和连续性方程。 2.教学重难点 教学重点:非平衡载流子的概念,准费米能级,非平衡载流子的复合,载流子的扩散运动 教学难点:非平衡载流子的复合,载流子的扩散运动 3.教学内容 非平衡载流子的注入,非平衡载流子的复合、寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动,连续性方程。  4.教学方法 课堂讲授,课堂提问、课堂讨论 5.教学评价 作业、课堂问答 第六章 p-n结 1.教学目标 掌握PN结的能带结构、空间电荷区以及接触电势差的计算;掌握I-V特性以及结电容的计算;理解pn结的击穿机制和隧道效应。 2.教学重难点 教学重点:PN结能带图,理想PN结模型及其电流-电压方程 教学难点:理想PN结电压-电流方程的推导 3.教学内容 pn结及其能带图,pn结电流-电压特性,pn结电容,pn结击穿特性,pn隧道效应。 4.教学方法 课堂讲授,课堂提问、课堂讨论 5.教学评价 作业、课堂问答 第七章 金属和半导体的接触  1.教学目标

苹报金网与半导体接触的能告弯曲分析与简图面法:苹报金属与半导体形成的肖特基接触和欧姆接触,阻挡层与反阻挡层的形成:华最消特基接触的电流一 电压特性,扩散理论和热电子发射理论 2教学重难点 教学重点:金属半导体接触能播图,金属半导体接触的整流理论。 教学难点:金风半导体接触的整流理论 3教学内容 非平衡载流子的注入,非平衡载演子的复合、寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,或流子的扩散远动,连续性方程. 心.数学方法 课堂讲授。课觉提问、课堂讨论 5,教学评价 作业、误登问答 第八章半导体表面与MS结构 1.教学目标 2.教学重难点 教学重点:表面电场效应,存在表面电场时,我流子的的堆积、耗尽、反型状态,S结构的C-特性。 教学难点:表面空间电药层的电场、电势、电容表达式的理解 教学内容 表面态的概念和来源。表面电场效应,MS结构的C-特性。硅-二氧化硅系统的性颜 4教学方法 课堂讲找,课堂提、课堂讨论 5。教学评价 第九章MOS场效应管 1.教学目标 了解5E场效应管的结构与分类,掌0SFET的工作原理,电流电压关系一概,理解电流电压关系一一推导,值电压形响因素 教学面难点 教学重点:0SFE的结构,工作原理,电流电压关系 难点:0 SFET工作原理 教学内容 SET场效应管的结构与分类,加SFE口的工作原理,电流电压关系,阅值电压影响因素, 4,教学方法 课堂讲授。课登提、课堂讨论 5.教学评价 作业、误堂问答 第十章半导体的光学性质与光电器件 L.教学目标 理解半导体光的吸收与材料的带隙关系,半号体光的本征吸收。直接跃迁和间接跃迁:了解太阳能电池的基本结构,工作原理,以及一曲线和主要光伏参 数。理解半导体中射复合过程和非辐射复合过程,掌发光二极管的基木结构,工作原星以及主要参数对器件性能的影响 2.数学重难点 太阳能电池的基本结构。工作原理。电流电压关系:发光二极管的基本结构工作原理,主要参数对器件的形响

掌握金属与半导体接触的能带弯曲分析与简图画法;掌握金属与半导体形成的肖持基接触和欧姆接触,阻挡层与反阻挡层的形成;掌握肖特基接触的电流— 电压特性,扩散理论和热电子发射理论。 2.教学重难点 教学重点:金属半导体接触能带图,金属半导体接触的整流理论。 教学难点:金属半导体接触的整流理论 3.教学内容 非平衡载流子的注入,非平衡载流子的复合、寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动,连续性方程。  4.教学方法 课堂讲授,课堂提问、课堂讨论 5.教学评价 作业、课堂问答 第八章半导体表面与MIS结构 1.教学目标 理解MIS结构的表面态的概念以及MIS结构的能带图,掌握理想MIS结构的表面电场效应,电容电压特性;学会对MIS结构中出现的各种情况进行分析;掌握如 何用C-V法研究半导体表面的状况,理解Si-SiO2系统的性质。 2.教学重难点 教学重点:表面电场效应,存在表面电场时,载流子的的堆积、耗尽、反型状态,MIS结构的C-V特性。 教学难点:表面空间电荷层的电场、电势、电容表达式的理解 3.教学内容 表面态的概念和来源,表面电场效应,MIS结构的C-V特性,硅-二氧化硅系统的性质 4.教学方法 课堂讲授,课堂提问、课堂讨论 5. 教学评价 第九章 MOS场效应管 1.教学目标 了解MOSFET场效应管的结构与分类。掌握MOSFET的工作原理,电流电压关系——概念。理解电流电压关系——推导,阈值电压影响因素。 教学重难点 教学重点:MOSFET的结构,工作原理,电流电压关系 难点:MOSFET工作原理 教学内容 MOSFET场效应管的结构与分类。MOSFET的工作原理,电流电压关系。阈值电压影响因素。 4.教学方法 课堂讲授,课堂提问、课堂讨论 5.教学评价 作业、课堂问答 第十章 半导体的光学性质与光电器件 1.教学目标 理解半导体光的吸收与材料的带隙关系,半导体光的本征吸收,直接跃迁和间接跃迁;了解太阳能电池的基本结构,工作原理,以及I-V曲线和主要光伏参 数。理解半导体中辐射复合过程和非辐射复合过程,掌握发光二极管的基本结构,工作原理,以及主要参数对器件性能的影响。 2.教学重难点 太阳能电池的基本结构,工作原理,电流电压关系;发光二极管的基本结构,工作原理,主要参数对器件的影响

3教学内容 半导体光的吸收,太阳能电池。复合理论,半导体发光,非铝射复合,LE的工作原理,LD的特性参数 4.教学方法 课堂讲授,课堂提问、课堂讨论 五.教学浮价 作业、误常问答 四、学时分配 表2:各章节的具体内容和学时分配表(五号宋体) 草节内容 学时分配 1.1率导体的晶格结构和结合性质 1.2半导体中的电子状态和能带 第一章 1,3半导体中电子的运动有效质量 1.4本征半导体的导电机构空穴 1.5 半导体的能带结构 2.15i、Ge中的杂质能细 22Ⅲ、V族化合物中的杂质能级 第二章 2.3氯化综、氯化铅、联化硅中的条质能级 24肤陷、位错能级 3.1状态密度 3,2费米能领和我流子的统计分布 第三 3实际半导体中的载流 了统计分布 4.1我流子的德移运动和迁移率 42载流子的歌射 第四章 4,3迁移半与杂质浓度和温度的关系 4,4电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 46 强电场下的输运 5,1非平衡我流子的注入与复合 6.2非平衡载流子的考命 5.3准费米能级 第五卓 五5略册效应 点.6我流子的扩脱运动 点?载流子的漂移扩散,爱因斯坦关系式 5.8连续性方程式 第六 6.1阳结及其能带图 6.2p结电流电压特性

3.教学内容 半导体光的吸收,太阳能电池。复合理论,半导体发光,非辐射复合,LED的工作原理,LED的特性参数。 4.教学方法 课堂讲授,课堂提问、课堂讨论 5.教学评价 作业、课堂问答 四、学时分配 表2:各章节的具体内容和学时分配表(五号宋体) 章节 章节内容 学时分配 第一章  1.1半导体的晶格结构和结合性质  1.2 半导体中的电子状态和能带  1.3半导体中电子的运动 有效质量  1.4 本征半导体的导电机构  空穴 1.5   半导体的能带结构  8 第二章  2.1  Si、 Ge中的杂质能级  2.2 Ⅲ、Ⅴ族化合物中的杂质能级  2.3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级 2.4 缺陷、位错能级  4 第三章  3.1  状态密度  3.2  费米能级和载流子的统计分布  3.3  实际半导体中的载流 子统计分布  8 第四章  4.1 载流子的漂移运动和迁移率  4.2 载流子的散射  4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系  4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系  4.6   强电场下的输运  6 第五章  5.1 非平衡载流子的注入与复合  5.2 非平衡载流子的寿命  5.3 准费米能级  5.5 陷阱效应  5.6 载流子的扩散运动  5.7 载流子的漂移扩散,爱因斯坦关系式 5.8 连续性方程式  10 第六章  6.1 pn结及其能带图  6.2 pn结电流电压特性  8

6.3阳结电容 64阳站击穿 5p阳结道效应 1金半导体接触及其能领图 第七章 1,2金园半导体接触整流理论 7.3少数载流子的注入和做姆接触 81表而态 82表而电场效应 第八 8.3$结构的C-特性 84位一二氧化硅系统的性质 85表面电导及迁移率 9.105FET结构和分类 9,2SET的工作原理 第九章 9,3电流电压关系 4值电压影因素 10.1率导体的光暖收 10.2m结的光生伏特效应 第十 10,3太阳能电池的电流电压特性 10.4半导体发光 10.5电政发光二极管 五、教学进度 表3:教学进度表(五号宋体) 周次 日期 章节名称 内容提要 授课时数 作业及要求 第一半导体中的电子 行中电子销运 香结构 Si. Ge中的杂能 3 第二章半导体中杂质能 复习学习内客,光成 级和缺陷能级 氯化像、氯化铝、碳化 布置后习题 中的杂质能领。缺暗。 位错能 第三章半导体中载流子的 状方密度,费米能级和 复习学习内容,完成 统计分布 流子的经计分,实际半 布置误后习愿 导体中的载流子统计分 布,本征半导体的载流了 浓度。一般情况下的载

6.3 pn结电容  6.4 pn结击穿 6.5 pn结隧道效应 第七章  7.1 金属半导体接触及其能级图  7.2 金属半导体接触整流理论 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触  6 第八章  8.1 表面态  8.2 表面电场效应  8.3 MIS结构的C-V特性  8.4 硅—二氧化硅系统的性质 8.5 表面电导及迁移率  8 第九章  9.1 MOSFET结构和分类  9.2 MOSFET的工作原理  9.3 电流电压关系 9.4阈值电压影响因素  6 第十章  10.1 半导体的光吸收  10.2 pn结的光生伏特效应  10.3 太阳能电池的电流电压特性  10.4 半导体发光 10.5 电致发光二极管  8 五、教学进度 表3:教学进度表(五号宋体) 周次 日期 章节名称 内容提要 授课时数 作业及要求 备注  1-2 第一章 半导体中的电子 状态 半导体中电子的运动 有 效质量,本征半导体的导 电机构空穴,半导体的能 带结构    8 复习学习内容,完成 布置课后习题  3 第二章 半导体中杂质能 级和缺陷能级  Si、 Ge中的杂质能 级,Ⅲ、Ⅴ族化合物中的 杂质能级, 氮化镓、氮化铝、碳化硅 中的杂质能级, 缺陷、 位错能  4 复习学习内容,完成 布置课后习题  4-5 第三章半导体中载流子的 统计分布 状态密度,费米能级和载 流子的统计分布,实际半 导体中的载流子统计分 布,本征半导体的载流子 浓度, 一般情况下的载  8 复习学习内容,完成 布置课后习题

流子统计分布,筒并半导 载流子的源移运动和迁 率,我流子的散射,迁移 第四卓半导体的导电性 率与杂质浓度和温度的 复习学习内容完威 电及其与杂质润 布置误后习 平南我流子的注入与复 第五章非平衡载流了 -9 10 我流子的漆移扩酸,连 性方程式 第六章P结 10-11 复习学习内容,完成 m结的电容 布置深后习 与碟道效应 12-13 第七章金属和半导体的 理论少最我流子的入 6 复习学习内容,完成 布置误后习是 和接触 13-15 第人章半导体表面与 结构 8 表面电导及迁移率 9.1如SFET结构和分 9.2NSFE的工作原型 15-16 第九章嫩OSFET基础 6 9.3电流电压关系 9.4阅值电压影响因素 半导体的光吸收,p阳结的 第十章半导体的光学付 光生伏特效应,太阳能电 17-18 复习学习内容,完成 质与觉电器件 池的电流电压特性,半号 布置误后习题 体发光,电政发光二极智 六、教材及参考书目(四号黑体) 1。《华导体物理学)(第七袋,刘恩科等编著,电子工业出饭社 2.(伴导体物理与器件)(第三饭),Donald著,电子工业出板社 七、教学方法(四号器体) 1.讲授法 对于基本理论,概念,公式推导等运用讲授法 2.讨论法 对于理想物理模型,器件工作原理等部分,藏发学生利用所学知识进行讨论

流子统计分布,简并半导 体  6-7 第四章 半导体的导电性 质 载流子的漂移运动和迁移 率,载流子的散射,迁移 率与杂质浓度和温度的关 系,电阻率及其与杂质浓 度和温度的关系,强电场 下的输运  6 复习学习内容,完成 布置课后习题  7-9 第五章非平衡载流子 非平衡载流子的注入与复 合,非平衡载流子的寿 命,准费米能级,陷阱效 应,载流子的扩散运动, 载流子的漂移扩散,,连 续性方程式  10 复习学习内容,完成 布置课后习题  10-11 第六章 PN结  pn结及其能带图,pn结 电流电压特性,pn结电, pn结的电容 pn结的击穿 与隧道效应  8 复习学习内容,完成 布置课后习题  12-13 第七章 金属和半导体的 接触 金属半导体接触及其能级 图,金属半导体接触整流 理论少数载流子的注入, 和欧姆接触  6 复习学习内容,完成 布置课后习题  13-15 第八章 半导体表面与MIS 结构 表面态,表面电场效应 ,MIS结构的C-V特性,硅 —二氧化硅系统的性质, 表面电导及迁移率  8 复习学习内容,完成 布置课后习题  15-16 第九章MOSFET 基础  9.1 MOSFET结构和分类  9.2 MOSFET的工作原理  9.3 电流电压关系  9.4阈值电压影响因素  6 复习学习内容,完成 布置课后习题  17-18 第十章 半导体的光学性 质与光电器件 半导体的光吸收,pn结的 光生伏特效应,太阳能电 池的电流电压特性,半导 体发光,电致发光二极管  8 复习学习内容,完成 布置课后习题 六、教材及参考书目(四号黑体)  1.《半导体物理学》(第七版),刘恩科等编著,电子工业出版社  2.《半导体物理与器件》(第三版),Donald A.Neamen著,电子工业出版社      七、教学方法 (四号黑体)  1.讲授法 对于基本理论,概念,公式推导等运用讲授法  2.讨论法 对于理想物理模型,器件工作原理等部分,激发学生利用所学知识进行讨论

八、考核方式及评定方法(四号黑体) (一)课程考核与课程日标的对应关系(小四号黑体) 表4:源程考核与课程目标的对应关系表(五号宋体) 误程目标 者核婴点 考核方式 课程目标 各章节知识点的情况 作业、课堂提问、考试 程目标2 化轼简以及逻辑推断能力 课堂讨论、课后作业 (二)评定方法(小四号属体 1.定方法(五号宋体》 平时成铺:20%,期中考试:20%,期末考试60%。按程考核实际情况描述) 2。误程目标的考楼占比与达成度分析(五号宋体) 表5:课程目标的考核占比与达成度分析表(五号宋体) 考核占比 平时 期末 总评达成度 课程目标 期中 课程目标 0.8 .8 0.8 (例:课程目标1达成度=0.3x平时目标1成绩0.2 x期中目标1成镜+0.5x期末目标1成镜/目标1总 课程目标2 0.2 0.2 0.2 分。按课程考核实际情况描述) (三)评分标准(小四号黑体) 评分标准 课程 90-100 80-89 70-79 60-69 <60 良 中 合格 不合格 c 0 课程 目标】

八、考核方式及评定方法(四号黑体) (一)课程考核与课程目标的对应关系 (小四号黑体) 表4:课程考核与课程目标的对应关系表(五号宋体) 课程目标 考核要点 考核方式 课程目标1 各章节知识点的掌握情况 作业、课堂提问、考试 课程目标2 化繁就简以及逻辑推断能力 课堂讨论、课后作业 (二)评定方法 (小四号黑体) 1.评定方法 (五号宋体) 平时成绩:20%,期中考试:20%,期末考试60%,按课程考核实际情况描述) 2.课程目标的考核占比与达成度分析 (五号宋体) 表5:课程目标的考核占比与达成度分析表(五号宋体) 考核占比 课程目标 平时 期中 期末 总评达成度 课程目标1 0.8 0.8 0.8 (例:课程目标1达成度={0.3x平时目标1成绩+0.2 x期中目标1成绩+0.5x期末目标1成绩}/目标1总 课程目标2 0.2 0.2 0.2 分。按课程考核实际情况描述) (三)评分标准 (小四号黑体) 课程 目标 评分标准 90-100 80-89 70-79 60-69 <60 优 良 中 合格 不合格 A B C D F 课程 目标1

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