由于外加电源电压V与内建电位差V.的极性一致，因此 PN结两端电位差由V.增大到V.+V。 结果：PN结的离子电荷量增加，阻挡层增宽，即内建 电位差增大，漂移增强，打破了漂移和扩散的动态平衡， ID<IT。 在内建电场的作用下，P区在阻挡层边界处的少子电子 漂移到N区N区在阻挡层边界处的少子空穴漂移到P区，因 此阻挡层两侧边界处的少子浓度等于零。 外加反偏时，通过阻挡层的电流主要是由两边少子通 过PN结漂移而形成，自N区流向P区的电流，同理：必须 保证P区与N区处于电中性。 由于外加电源电压V与内建电位差VB的极性一致，因此 PN结两端电位差由VB增大到VB+V 。 结果：PN结的离子电荷量增加，阻挡层增宽，即内建 电位差增大，漂 移增强，打破了漂移和扩散的动态平衡， ID < IT 。 在内建电场的作用下，P区在阻挡层边界处的少子电子 漂移到N区N区在阻挡层边界处的少子空穴漂移到P区，因 此阻挡层两侧边界处的少子浓度等于零。 外加反偏时，通过阻挡层的电流主要是由两边少子通 过PN结漂移而形成，自N区流向P区的电流，同理： 必须 保证P区与N区处于电中性