UG不同,物理特性不同。 氧化物 耗尽层反型层耗尽层 半导体 电子能量 图3-2不同偏置下理想MOS结构能带图 a)平带状态b)出现堆积层c)出现耗尽层d)出现反型层 1一导带底能量E。2一禁带中央能级E;3—费米能级E14一价带顶能级E◼ UG不同，物理特性不同