第一节CcD的物理基础 MoS晶体管器件,但不工作于反型层而是 深耗尽层。 ■由衬底(P型单晶硅)、氧化层(Sio2) 和金属电极构成。 输人栅 输出栅 金属 Sr P-Si Sion 输人二极管P-Si 输出二极管 图3-1CCD原理示意图 a)CCD结构示意图b)MOs电容器结构第一节 CCD的物理基础 ◼ MOS晶体管器件，但不工作于反型层而是 深耗尽层。 ◼ 由衬底（P型单晶硅）、氧化层（SiO2） 和金属电极构成