有些化合物气体不是很稳定，可以利用分解反应形成金属涂层或氧化物膜： Ni(CO)4g→Nist4COe Til2B→Tg+2g Si(OC2Hs)4-SiO2s)+4C2H4i+2H2O 2Al(OCH7)3-Al2Ox)+6C;Hg+3H2O b还原反应 典型的例子是氢还原卤化物，如SiCL4 SiCl+2H2Sis+4HCl 还原钨和硼的卤化物的反应式为： WCle+3Hg→Wa+6HCLg WF60+3H→W+6HFg 2BC1e+3H2g→2Bg+6HCg 进行氢还原反应一般使用氯化物。氢还原反应不适于制备A、T等金属的薄膜，因 为这些元素的卤化物较稳定。 c氧化反应制备氧化物 SO2通常经过氧化SiH4来制备，SiH4与氧气相混合并在常压下用惰性气体稀释，在 450℃进行氧化反应，反应式为： SiH +0291 Si024+2H 在850℃和900'℃可分别进行以下两个反应： SiH2Clx+2N2O-SiO2s)+2HCl+2N2g) 在高温可直接氧化SiCL和GeCL制备SiO2: SiCl)+02-SiO2s+2Cl2 GeClxp+O2→Ge02g+2Che 由铝的氯化物可氧化沉积A: Al2Cla(g+2CO2+3H2g-AlO+5HCl+3CO( d氮化反应和碳化反应制备氮化物和碳化物 氨化硅和氨化翻是化学气相沉积制备氮化物的两个重要例子 3SiH4g+4NHMg-SisN4+12H2g 下列反应可获得高沉积举： 3SiH.Clg+4NHSi;N+6HCk+6H2g BClg+NH→BN+3HCg 在有碳氢气体存在时，采用氯化物可制得TC、BC和SiC: TiCl4O+CH4-TiCs)+4HClig) 热分解CH SiCh也可制备碳化硅膜： CH;SiCl一SiC+3HClg e化合物薄膜的制备 由有机金属化合物可以沉积得到V族化合物： Ga(CH3)+AsHgGaAs)+3CHg) 「化学输运反应沉积 14