CMOS运放的优化设计 WL计算值 Ip (uA) Ip (uA) Mos管序号 (um/um) (设计值) (仿真值) MIM2 60/1 40 37 M3 M4 50/4 40 37 M5 20/1 80 74 M6 90/1 280 278 M7 70/1 280 278 M8 2.5/1 10 9.3 M9 2.5/1 10 10.2 M10 3/1 10 9.3 M11 3/1 10 10.2 M12 12/1 10 9.3 M13 31 10 10.2 M14 16/1 0 0 表1.1各mos管的宽长比和直流电流 §2.4性能参数的理论计算值 1.静态功耗：1.9mW 2.共模输入电压范围 21 W =0.68V,为使M5饱和，V1=Vs≤4.32 所以，输入共模电压V≤V1-m=3.42V。显然，V的最小值接近0。 所以，共模输入范围是[0V,3.42V叮 3.开环增益 1 Ay =gmgm6 ,4pWW。=10274=81DB 82+g486+gm(亿n+元p)2V1l6L1L6 4.单位增益带宽 oCMOS 运放的优化设计 10 Mos 管序号 W/L 计算值 （um/um） DI （uA） （设计值） DI （uA） （仿真值） M1 M2 60/1 40 37 M3 M4 50/4 40 37 M5 20/1 80 74 M6 90/1 280 278 M7 70/1 280 278 M8 2.5/1 10 9.3 M9 2.5/1 10 10.2 M10 3/1 10 9.3 M11 3/1 10 10.2 M12 12/1 10 9.3 M13 3/1 10 10.2 M14 16/1 0 0 表 1.1 各 mos 管的宽长比和直流电流 §2.4 性能参数的理论计算值 1．静态功耗： 1.9mW 2．共模输入电压范围 5 5 5 2 eff p ox I V W C L µ = ⎛ ⎞ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ =0.68V ，为使 M5 饱和，V V s d 1 8 = ≤ 4.32 所以，输入共模电压Vic ≤ − V V s1 1 th =3.42V。显然，Vic 的最小值接近 0。 所以，共模输入范围是[0V，3.42V] 3．开环增益 1 6 1 6 1 6 2 02 04 06 07 1 6 ( ) 1 1 2 I I L L C W W g g g g A g g n p n p ox V m m µ µ λ + λ = + + = =10274=81DB 4．单位增益带宽