第章存储器和可编程逻辑器件 ROM的存储单元可以用二极管构成,也可以用双极 极管或MOS管构成。存储器的容量用存储单元的数目来 表示,写成“字数乘位数”的形式。对于图9-1的存储矩阵 有2个字,每个字的字长为m,因此整个存储器的存储容量 为2×m位。存储容量也习惯用K(1K=1024)为单位来表示, 例如1K×4、2K×8和64K×1的存储器,其容量分别是 1024×4位、2048×8位和65536×1位。 输出缓冲器是ROM的数据读出电路,通常用三态门构 成,它不仅可以实现对输出数据的三态控制,以便与系统 总线联接,还可以提高存储器的带负载能力第9章 存储器和可编程逻辑器件 ROM的存储单元可以用二极管构成，也可以用双极型 三极管或MOS管构成。存储器的容量用存储单元的数目来 表示，写成“字数乘位数”的形式。对于图 9-1 的存储矩阵 有2 n个字， 每个字的字长为m，因此整个存储器的存储容量 为2 n×m位。 存储容量也习惯用K(1 K=1024)为单位来表示， 例如1 K×4、 2 K×８ 和 64 K×1的存储器，其容量分别是 1024×4 位、 2048×8 位 和 65 536×1 位。 输出缓冲器是ROM的数据读出电路，通常用三态门构 成，它不仅可以实现对输出数据的三态控制，以便与系统 总线联接， 还可以提高存储器的带负载能力