4.1.4FET小信号等效模型 JFET低频和中频等效模型: 其中为输出电阻,rn= lDs mugs ds 而g为输出电导 g s 定义:gd- ups lugs=C -lpss( 休息 GS(off) D 休息2 G 而gs=AD, 返回 其中利用=Is(1-“)2(1+ns) GS(off) 例:如果已知=100V, G GD D ID=1m4→r=100K2 JFET高频等效模型 GS mugs DS 在高频工作时还必须考虑极间 电容C,CG,Cs等的影响。uGS gmuGS uDS rdS 4.1.4 FET小信号等效模型 JFET 低频和中频等效模型： 其中 ds r 为输出电阻， d s d s g 1 r = ， 而gd s 为输出电导。 定义： 2 GS ( off ) GS DSS D S u C D d s ) U u I ( 1 u i g G S = − −   = =  而 d s D g = I , I D 1 ds r =  其中利用 ) ( 1 u ) U u i I ( 1 D S 2 GS ( off ) GS D = DSS − +  例：如果已知 100V 1 =  ， I D = 1mA → rds = 100K JFET 高频等效模型 在高频工作时还必须考虑极间 电容CG S ，CG D ，CD S 等的影响。 休息1 休息2 gmuGS rdS uGS CGS CDS CGD + uDS - 返回