4.1.4FET小信号等效模型 休息1休息2 FET的小信号等效模型电路十分简单,由于栅源之间的输入 阻抗很高,无输入电流,故呈开路状态。其漏源之间在恒流区 工作时,也是一个正向受控电流源,输围强a控制,为表 示"ω对讠的控制能力,通常用m来表示。 定义:当uDs=常量时,漏极电流的微变量和栅源电压微变量之比 即:g ai D DsS (1 uGS {m(1 uns=C GS(off) GS(off) 0) DSS (其中利用:ip=IDs(1 DSS g GS(off) GS(of) 可见如果已知参数IDs,yUos(am和工作 G 电流ⅠD可求出gm Bj: IDss =8 mA, Uas(o = 2v,I,=2mA,uGs lDs mugs 21 求出gm=20=8ns,gm=4mS GS(off) 返回4.1.4 FET小信号等效模型 FET的小信号等效模型电路十分简单，由于栅源之间的输入 阻抗很高，无输入电流，故呈开路状态。其漏源之间在恒流区 工作时，也是一个正向受控电流源，输出D i 受uGS 控制，为 表 示 uGS 对 D i 的控制能力，通常用gm 来表示。 定义：当uDS =常 量时，漏极电流的微变量和栅源电压微变量之比。 即 ： ) U u ( 1 U 2I u i g GS ( off ) GS GS ( off ) DSS GS u C D m D S = − −   = ＝ DSS D mo GS ( off ) GS mo I I ) g U u = −g ( 1− = − （其中利用： 2 GS ( off ) GS D DSS ) U u i = I ( 1 − ） GS ( off ) DSS mo U 2I g = 可见如果已知参数 DSS I ，UGS( off ) 和工作 电流 D I 可求出gm 。 例 ： I DSS = 8 mA ，UGS ( off ) = 2V ，I D = 2mA ， 求 出 8mS U 2I g GS ( off ) DSS mo = = ， g m = 4 mS 休息1 休息2 uGS gmuGS uDS rdS 返回