核磁共振谱图应该给出三种重要的结构信息:化学位移、自旋裂分、偶合常数和峰 面积(积分线)。如图7.7所示。 CHCH,OH (78y 图79乙醇的高分辨核磁共振谱 峰面积(积分线高度)之比为质子个数之比,上图为1:2:3(OH:CH2:CH3) 化学位移 1化学位移的由来质子的能级差是一定的,因此有机分子中的所有质子似乎都应 在同一磁场强度下吸收能量。这样,在核磁共振谱图中就应只有一个吸收峰,核磁共振 就无意义了 化学位移是怎样产生的?分子中磁性核不是完全裸露的,质子被价电子包围着。这些电子在 外界磁场的作用下发生循环的流动,会产生一个感应的磁场,假如感应磁场与外界磁场反平行 方向辨列,质子实上感受到的有效磁场强度应是外磁场强度减去感应磁场强度。即 H 0(|-q)=H0-Hu=H-H 核外电子对核产生的这种作用称为屏藏效应,也叫抗磁屏蔽效应。口称为屏蔽常数。与屏蔽转少 的质子比较,屏蔽多的质子对外磁场感受较少,将在较高的外磁场强度作用下才能发生共振吸 收。相反,假如感应磁场与外磁场平行排列,则质子实际上感受到的有效磁场应是外磁场强度 加感应磁场强度。这种作用称为去屏藏效应,也称为顺磁去屏蔽效应。受去屏巖效应影响的 质子在较低外磁场强度作用下就能发生共振吸收。综上所述说明:质子发生核磁共振实际上应 满足 H 有做 (8-8) 因在相同频率电磁辐射波的照射下,不同化学环境的质子受的屏蔽效应各不相同,因此它们发生 核磁共振所需的外磁场强度也各不相同,即发生了化学位移 对H化学位移产主要影响的是部屏蔽效应和远程屏敲效应。核外虚激电子的由子云 2化学位移的表示法 化学环境不同的质子,因受不同程度的屏蔽作用,在谱中的不同位置上出现吸收峰,但这种 位置上的差异是很小的,很难精确地测出化学位移的绝对数值故通常是以四甲基硅烷(CH3)Si (TMS)作为标谁物质,以它的质子峰作为零点,其他化合物的质子峰的化学位移都是相对于这 个零点而言的。 化学位移常以δ表示。δ是样品质子吸收峰与TMS质子吸收峰频率之差与共振仪辐射频 率之比。因为由此所得数值很小,故乘以10°,即以ppm表示。 yTME 式中:为样品的化学位移,为样品吸收峰的频率yTMs为四甲基硅烷的吸收峰的频率v为核 磁共振仪的频率