导电高分子材料的掺杂途径 氧化掺杂(p-doping):[CH]n+3x/2I2一>[CH]nx*+×I3 还原掺杂(n-doping):[CH]n+×Na一>[CH]nx-+×Na* 添补后的聚合物形成盐类，产生电流的原因并不是碘 离子或钠离子而是共轭双键上的电子移动。导电高分子材料的掺杂途径 氧化掺杂 ( p-doping): [CH] n + 3x/2 I 2 ——> [CH] n x+ + x I 3 - 还原掺杂 ( n doping) [CH] + Na > [CH] 还原掺杂 x + Na + ( n -doping): [CH] n + x Na ——> [CH] n x- + x Na + 添补后的聚合物形成盐类，产生电流的原因并不是碘 离子或钠离子而是共轭双键上的电子移动