348 理学报 28 这里,J和J分别表示正向电流密度和饱和电流密度A/cm3,n;和ND分别为本征和n 型材料的载流子浓度cm-3,L,是空穴扩散长度cm,p2和n分别为空穴和电子迁移率 cm2/V·se.我们注意到300K时n(GaAs)=11×10cm-,对于Nb~10"cm-3,P和 pn分别取300和4,000m/V·ec,L,2×10-m42,而J~5×10-4/cm2,即使当 J=105/m2时,y和r值仅各为18×10-10和7×10-se,因此少数载流子的影响可以 忽略不计, Kahng, Dasars52对Au-nSi势垒两极管的响应时间作了分析和测定,认为在低 电流下响应时间主要受电子(多子)渡越势垒区时间r影响,可近似表示为r;~W 在此,W是耗尽区宽度,V是漂移速度。取v(GaAs)10cm/sc(典型情况),W~0.1{m (ND10cm-3零偏压)2,得r2~1×10-2se,.低于表3结果,故他们的意见并不正确 Merkels,Hll认为势垒结开关两极管的响应时间为引线电感L:和结电容C的串联谐 振所决定,记作c,可表示为 2IVL L的实测值为0.3nH(典型数据),表3各编号管子的C;依次为0.51,0.48,0.34,0.3和 028pf,计算的tc各为73,7.0,5.9,5.8,54×10-1s,与表3的τ值非常一致.因此, 用阶跃恢复法测得的M-S结两极管的τ不是少数载流子寿命,在我们目前的条件下,可 能是两极管L:C;的串联谐振时间常数 参考文献 [1] W. M. Bullis, Document AD 674, 697. National Teehnieal Information Service, springfield Virginia(1968) [2] A G. Milnes, Deep Impurities in Scmieonduetors, Wiley-Interseience Publication(1973),207- [3] C. Hilsun, B. Holeman, Proe. Internationa Conf on Semiconductor Physies, Prague (1960) [4] H. M. KoJtaHoBa, A. H. HacnienoB, usuKa rBepdoeo re aa, 8(1966), 1097. [5] K. I. Ashley, J. R. Biard, Trans. IEEE, ED-14(1967),429. [6] B T. KycToB, B. I. OpJoB, usuKa u rexHuKa no ynpoeodHuKo8, 3(1969),1728. [7]T. Ambridge et al, J. Appl. Electrochemistry, 3(1973),I [8] C. J. Hwang, J. Appl. Phys., 40(1969),3731 [9]R. H. Kingston, Proc. IRE, 42(1954),829 [10] A. E. Bakanowski, J. H. Forster, Bell System TechJ, 39( 1960),87 [11] J. L. Moll, S. Krakauer, R. Shen, Proc. IRE, 50(1962),43 [12] R. Y. Dean, C. J. Neuse, IEEE Trans., ED-18(1971),151 [13] Lo. Wayne, s. Edward, Solid State Electronics, 17(1974), 113. [14] S. M. Krakauer, Proc. IRE, 50(1962),1665 [15] J. I. Saltich, I. E. Clark, Solid State Electronics, 13(1970),857 [16] H.A. Watson, Microwave Semieonduetor Devices and Their Cireuit Applieations(1969),113 [17]且,C.Case,Jr,, J. AppL. Phy8,44(1973),1281 [18]C.J. hwang,J.dpp.Phys,42(1971),4408 [19 D. L. Scharfetter, Solid State Electron, 8(1965),299 [20 S. M. Sze, Physies of Semieonductor Devices(1969),40 [21] D. Kahng L. A. D'asars, Bell System Tech J, 43(1964), 225. [22] S. M. Sze, Physies of Semiconductor Devices (1969),59, 89 [23]J. Merkels, R, D. Hall, IEEE Solid State Circuits, SC-7( 1972),50